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물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2014049957
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 결정화 시간이 상대적으로 짧고, 결정 크기가 상대적으로 크며, 결정화 분율 및 캐리어 농도가 높고, 또한 대면적화 및 고품질화가 용이하며, 저온 공정이 가능한 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명의 일 실시예는 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판에 제1비정질 실리콘층을 증착하는 제1비정질 실리콘층 증착 단계; 상기 제1비정질 실리콘층에 전자빔을 조사함으로써 다결정질 실리콘으로 결정화하는 씨앗층 형성 단계; 상기 씨앗층에 제2비정질 실리콘층을 증착하는 제2비정질 실리콘층 증착 단계; 및 상기 제2비정질 실리콘층에 전자빔을 조사함으로써 다결정질 실리콘으로 결정화하는 흡수층 형성 단계로 이루어진 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01)
출원번호/일자 1020110095729 (2011.09.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1194060-0000 (2012.10.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 김창헌 대한민국 광주 광산구
3 김호성 대한민국 경기 수원시 영통구
4 나현식 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0739296-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0072277-11
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0559609-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판에 제1비정질 실리콘층을 증착하는 제1비정질 실리콘층 증착 단계;상기 제1비정질 실리콘층을 다결정질 실리콘으로 결정화하는 씨앗층 형성 단계;상기 씨앗층에 제2비정질 실리콘층을 증착하는 제2비정질 실리콘층 증착 단계; 및상기 제2비정질 실리콘층을 다결정질 실리콘으로 결정화하는 흡수층 형성 단계를 포함하고,상기 제1비정질 실리콘층 및 상기 제2비정질 실리콘층중 적어도 어느 하나는 물리 기상 증착법으로 형성됨을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 물리 기상 증착법은 전자빔 이베퍼레이션(E-beam Evaporation)에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 물리 기상 증착법은 적어도 0
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1비정질 실리콘층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법으로 형성되고, 상기 제2비정질 실리콘층은 물리 기상 증착법으로 형성됨을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1비정질 실리콘층은 100~140nm의 두께로 형성되고,상기 제2비정질 실리콘층은 1~100㎛의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 씨앗층 형성 단계 및 상기 흡수층 형성 단계중 적어도 어느 하나는 전자빔 조사에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전자빔은 아르곤 가스가 플라즈마에 의해 아르곤 이온과 분리된 전자에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 전자빔은 에너지가 3
9 9
제 6 항에 있어서,상기 전자빔은 조사 시간이 20초 ~ 120초인 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 씨앗층 및 상기 흡수층의 공정 온도는 350~450℃인 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
11 11
제 6 항에 있어서,상기 전자빔의 조사시 상기 기판에는 금속층이 형성됨을 특징으로 하는 물리 기상 증착법을 이용한 태양 전지의 제조 방법
12 12
제 1 항 내지 제 11 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국생산기술연구원 산학연 공동기술개발사업 실리콘 태양전지 응용을 위한 다결정 실리콘 박막 고속 증착공정 및 고품질화 기술개발