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기판 증착 장치 및 그의 기판 증착 방법

  • 기술번호 : KST2014049959
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 기판 증착 장치는, 증착 대상물인 기판의 증착 공간을 형성하며, 증착 공간에 기판이 로딩되는 기판 로딩부가 구비되는 공정 챔버; 및 공정 챔버에서 기판 로딩부의 일측에 구비되며, 기판에 이온빔을 조사하여 기판에 다이아몬드상 탄소(DLC, Diamond Like Carbon) 박막을 형성하는 이온빔 소스 유닛;을 포함하며, 이온빔 소스 유닛은 유입되는 가스의 흐름을 통해 이온화를 시키는 캐소드(cathode) 및 애노드(anode)를 포함하며, 애노드에는 증착 공정 시 발생 가능한 카본을 포함하는 이물질이 애노드에 축적되는 속도를 감소시킴으로써 애노드를 보호하는 애노드 보호부가 구비될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기판에 다이아몬드상 탄소 박막(DLC, Diamond Like Carbon)을 증착하는 공정이 반복적으로 진행됨으로써 카본과 같은 이물질이 발생하더라도 이온빔 소스 유닛의 애노드가 오염되는 것을 방지할 수 있으며 따라서 박막 증착 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL C23C 14/46 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01) C23C 14/3442(2013.01)
출원번호/일자 1020110096762 (2011.09.26)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1309984-0000 (2013.09.11)
공개번호/일자 10-2013-0032988 (2013.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박민석 대한민국 부산광역시 사하구
2 정우창 대한민국 부산광역시 부산진구
3 신창석 대한민국 부산광역시 남구
4 방현배 대한민국 부산광역시 동구
5 조형호 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0746439-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0090057-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0159302-55
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0403558-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0495929-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0495928-61
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0617826-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증착 대상물인 기판의 증착 공간을 형성하며, 상기 증착 공간에 상기 기판이 로딩되는 기판 로딩부가 구비되는 공정 챔버; 및상기 공정 챔버에서 상기 기판 로딩부의 일측에 구비되며, 상기 기판에 이온빔을 조사하여 상기 기판에 다이아몬드상 탄소(DLC, Diamond Like Carbon) 박막을 형성하는 이온빔 소스 유닛;상기 공정 챔버에서 상기 기판 로딩부를 기준으로 상기 이온빔 소스 유닛과 대칭되게 배치되어 상기 이온빔 소스 유닛을 이용하여 상기 기판에 상기 다이아몬드상 탄소 박막을 형성하기 전에 상기 기판 상에 중간층을 형성하는 스퍼터링 유닛;을 포함하며,상기 이온빔 소스 유닛은 유입되는 가스의 흐름을 통해 이온화를 시키는 캐소드(cathode) 및 애노드(anode)를 포함하며,상기 애노드에는 증착 공정 시 발생 가능한 카본을 포함하는 이물질이 상기 애노드에 축적되는 속도를 감소시킴으로써 상기 애노드를 보호하는 애노드 보호부가 구비되며,상기 기판의 증착될 면이 상기 스퍼터링 유닛 또는 상기 이온빔 소스 유닛을 향하도록 상기 기판 로딩부는 상기 공정 챔버에 회전 가능하게 결합되는 기판 증착 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 애노드 보호부는 상기 기판을 향하는 상기 애노드의 일면에 코팅 처리되는 막 타입인 기판 증착 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 애노드 보호부는 티타늄나이트라이드(TiN) 재질로 형성되는 기판 증착 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 이온빔 소스 유닛은,상기 캐소드 및 상기 애노드가 내부 공간에 장착되는 유닛본체;상기 유닛본체의 내부 공간으로 상기 이온빔 생성을 위한 가스를 유입시키는 가스 유입부; 및상기 유닛본체 내부에 장착되는 상기 캐소드 및 상기 애노드와 작용하여 전자기장을 형성하는 영구자석을 포함하며,상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 영구자석을 기준으로 대칭되게 한 쌍 구비되고 상기 기판을 향하는 상기 애노드의 일면에 상기 애노드 보호부가 구비되는 기판 증착 장치
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삭제
6 6
삭제
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증착 대상물인 기판의 증착 공간을 형성하며, 상기 증착 공간에 상기 기판이 로딩되는 기판 로딩부가 구비되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에서 상기 기판 로딩부의 일측에 구비되며, 상기 기판에 이온빔을 조사하여 상기 기판에 다이아몬드상 탄소(DLC, Diamond Like Carbon) 박막을 형성하는 이온빔 소스 유닛; 및 상기 공정 챔버에서 상기 기판 로딩부를 기준으로 상기 이온빔 소스 유닛과 대칭되게 배치되어 상기 이온빔 소스 유닛을 이용하여 상기 기판에 상기 다이아몬드상 탄소 박막을 형성하기 전에 상기 기판 상에 중간층을 형성하는 스퍼터링 유닛을 포함하는 기판 증착 장치의 기판 증착 방법에 있어서,상기 이온빔 소스 유닛을 이용하여 상기 기판에 잔존 가능한 이물질을 제거하는, 기판 세정 단계;상기 스퍼터링 유닛을 이용하여 상기 기판의 일면에 상기 중간층을 형성하는, 중간층 형성 단계; 및상기 이온빔 소스 유닛을 이용하여 상기 기판에 형성된 상기 중간층 상에 상기 다이아몬드상 탄소 박막을 형성하는, DLC 형성 단계;를 포함하며,상기 이온빔 소스 유닛에 구비되어 유입되는 가스의 흐름을 통해 이온화를 시켜 상기 이온빔이 형성되도록 하는 캐소드 및 애노드 중 상기 애노드에는 증착 공정 시 발생 가능한 카본을 포함하는 이물질이 상기 애노드의 일면에 축적되는 속도를 감소시켜 상기 애노드를 보호하도록 하는 애노드 보호부가 구비되며,상기 기판의 증착될 면이 상기 스퍼터링 유닛 또는 상기 이온빔 소스 유닛을 향하도록 상기 기판 로딩부는 상기 공정 챔버에 회전 가능하게 결합되는 기판 증착 장치의 기판 증착 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 중간층 및 상기 다이아몬드상 탄소 박막이 형성된 상기 기판을 열처리하여 상기 다이아몬드상 탄소 박막의 결정을 형성시키는, 열처리 단계를 더 포함하는 기판 증착 장치의 기판 증착 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 애노드 보호부는 상기 기판을 향하는 상기 애노드의 일면에 코팅 처리되는 막 타입이며, 티타늄나이트라이드(TiN) 재질로 형성되는 기판 증착 장치의 기판 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.