| 1 |
1
피처리물이 배치되는 스테이지;상기 스테이지를 감싸며, 내부가 진공상태를 유지하는 챔버;상기 챔버 일측에 배치되어 상기 피처리물에 전자빔을 조사하는 전자빔 발생장치;상기 전자빔이 조사된 상기 피처리물에 이온빔을 조사하여 표면처리하는 이온빔 발생장치;상기 전자빔이 조사된 상기 피처리물에 이온빔을 조사하여 표면처리하는 이온빔 발생장치; 및상기 피처리물의 표면 조도값을 측정하기 위해 상기 챔버의 일측에 배치된 전자 현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)를 포함하고,상기 피처리물의 표면 조도 분포값이 임계치 이상일 경우, 상기 전자빔 발생장치와 상기 이온빔 발생장치가 함께 동작되고,상기 피처리물의 표면 조도 분포값이 상기 임계치 미만일 경우, 상기 이온빔 발생장치만 동작되는 피니싱 장치
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 이온빔 발생장치는 상기 피처리물에 조사되는 수직 전자빔에 대해서 기울기를 갖고, 상기 피처리물에 조사되도록 상기 챔버 일측에 배치되는 피니싱 장치
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서,상기 전자빔 발생장치에서 조사되는 수직 전자빔과 상기 이온빔 발생장치에서 조사되는 수직 이온빔 간의 이루어진 각은 45° ~ 55° 사이에 존재하는 피니싱 장치
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,전압 펄스를 공급하여 상기 전자빔 발생장치를 구동하는 구동부를더 포함하고, 상기 구동부는 상기 피처리물의 표면 조도값의 크기에 따라 전압 펄스의 크기를 조절하는 피니싱 장치
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 전압 펄스의 크기는 상기 피처리물의 표면 조도값이 커질수록 커지는 피니싱 장치
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,전압 펄스를 공급하여 상기 전자빔 발생장치를 구동하는 구동부를더 포함하고, 상기 구동부는 상기 피처리물의 표면 조도값의 크기에 따라 전압 펄스의 듀티비를 조절하는 피니싱 장치
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,상기 전압 펄스의 듀티비는 상기 피처리물의 표면 조도값이 커질수록 작아지는 피니싱 장치
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,전압 펄스를 공급하여 상기 전자빔 발생장치를 구동하는 구동부를더 포함하고, 상기 구동부는 상기 피처리물의 표면 조도값의 크기에 따라 전압 펄스의 폭을 조절하는 피니싱 장치
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,상기 전압 펄스의 폭은 상기 피처리물의 표면 조도값이 커질수록 넓어지는 피니싱 장치
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서,상기 이온빔이 상기 피처리물에 조사된 영역은 상기 전자빔이 조사된 피처리물의 영역을 포함하는 피니싱 장치
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
피처리물의 전체 표면조도 분포 값을 측정하는 단계;상기 측정된 표면조도 분포 값과 기 설정된 상기 피처리물의 표면 조도 임계 분포 값을 비교하는 단계;상기 측정된 표면조도 분포 값이 상기 표면조도 임계 분포 값보다 클 경우, 전자빔과 이온빔을 함께 상기 피처리물에 조사하는 단계; 및상기 측정된 표면조도 분포 값이 상기 표면조도 임계 분포 값보다 작을 경우, 상기 이온빔을 상기 피처리물에 조사하는 단계를 포함하는 표면처리 방법
|
| 19 |
19
제 18항에 있어서,상기 피처리물에 전자빔 조사시, 상기 피처리물의 재질에 따른 기준표면 조도값에 따라 상기 전자빔의 세기를 조절하는 표면처리 방법
|
| 20 |
20
제 19항에 있어서,상기 전자빔의 세기는 상기 전자빔의 구동전압 펄스의 크기에 따라 조절되는 표면처리 방법
|
| 21 |
21
제 19항에 있어서,상기 전자빔 세기는 상기 전자빔의 구동 전압 펄스의 듀티비에 따라 조절되는 표면처리 방법
|
| 22 |
22
제 19항에 있어서,상기 전자빔 세기는 상기 전자빔의 구동 전압 펄스의 폭에 따라 조절되는 표면처리 방법
|
