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전자빔 조사를 이용한 몰리브덴 박막의 전도도 향상 방법

  • 기술번호 : KST2014050038
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 배면 전극인 몰리브덴 박막의 비저항을 줄이고 두께를 줄일 수 있어 몰리브덴 박막의 전도도를 향상시킬 수 있는 태양 전지 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법은 기판 상에 몰리브덴 박막을 형성하는 단계; 및 몰리브덴 박막에 대한 후처리 공정을 진행하여 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 몰리브덴 박막에 대한 후처리 공정은 몰리브덴 박막에 전자 빔을 조사하여 이루어진다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110135838 (2011.12.15)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1300791-0000 (2013.08.21)
공개번호/일자 10-2013-0068565 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 김재웅 대한민국 광주광역시 광산구
3 김동진 대한민국 광주광역시 서구
4 정승철 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0999805-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145036-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0384878-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0384880-98
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0523943-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양 전지 제조 방법에 있어서, 기판 상에 몰리브덴으로 이루어진 후면 전극을 형성하는 단계; 및 몰리브덴 후면 전극에 전자 빔을 조사하여 몰리브덴 후면 전극에 대한 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하되, 몰리브덴 후면 전극에 조사되는 전자 빔은 고밀도 플라즈마의 생성, 고밀도 플라즈마의 그리드 렌즈(grid lens) 통과 및 고밀도 플라즈마의 이온과 전자의 분리 과정을 통하여 생성된 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 전자 빔은 후면 전극의 전체 표면에 조사되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 전자 빔 후처리 공정은 7×10E-7 torr의 압력 그리고 5 내지 10 sccm의 유량의 아르곤 가스 분위기 조건 하의 공정 챔버 내에서 2
4 4
제 3 항에 있어서, 전자빔 처리 시간은 5분 이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP27504611 JP 일본 FAMILY
2 US20150093852 US 미국 FAMILY
3 WO2013089305 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2015504611 JP 일본 DOCDBFAMILY
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3 WO2013089305 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.