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나노구조층을 포함하는 고 Haze율 투명전극, 상기 투명전극 제조방법 및 상기 투명전극을 포함하는 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014050056
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전극 및 상기 투명전극 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판과 투명전극층사이에 나노구조를 갖는 투명산화물층을 삽입하여 새로운 구조를 갖는 고 헤이즈율 투명전극 및 상기 투명전극 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020110140646 (2011.12.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1416723-0000 (2014.07.02)
공개번호/일자 10-2013-0072991 (2013.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주광역시 광산구
2 김호성 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 정채환 대한민국 광주광역시 광산구
4 이종호 대한민국 광주광역시 동구
5 김진혁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-1025131-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0992227-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0895536-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0179465-34
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0179547-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0445213-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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유리기판 상에 산화물 시드층을 증착시켜 형성하는 단계;상기 산화물 시드층상에 홀로그램리소그래피 공정 및 수열합성장치를 이용하여 나노구조산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 나노구조산화물층상에 투명전극층을 증착시켜 형성하는 단계;를 포함하는,상기 나노구조산화물층을 형성하는 단계는, 상기 산화물 시드층상에 포토레지스트 용액을 도포하여 포토레지스트 층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층상에 홀로그램리소그래피 공정을 이용하여 기 설정된 나노패턴을 상기 산화물 시드층이 노출되도록 패터닝 하는 단계;상기 패터닝 된 기판을 수열합성장치에 투입하여 산화물층을 성장시키는 단계; 및상기 기판으로부터 잔여 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는 고헤이즈율 투명전극제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 산화물 시드층은 100 내지 150nm의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고헤이즈율 투명전극 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 산화물 시드층 및 나노구조산화물층은 산화아연으로 형성되고, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고헤이즈율 투명전극 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 투명전극층은 400 내지 800nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 고헤이즈율 투명전극 제조방법
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제6항, 제7항, 제9항 또는 제10항의 고헤이즈율 투명전극 제조방법으로 제조된 투명전극을 포함하는 박막 태양전지
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제6항, 제7항, 제9항 또는 제10항의 고헤이즈율 투명전극 제조방법으로 제조된 고 헤이즈율 투명전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 산업계연계형 세부사업: 플랫폼형 R＆D 기술지원 전고체질 박막형 리튬 배터리 요소공정기술 및 박막 태양전지 융합화 기술개발