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음극산화알루미늄 템플릿을 이용한 산화니켈 나노튜브의제조방법

  • 기술번호 : KST2014050129
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 음극산화알루미늄(AAO) 템플릿(template)을 이용한 니켈 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 니켈 나노튜브의 제조방법은 종래 금속 나노튜브의 제조방법과 달리 온화한 조건에서 증류수, 니켈 전구체 및 AAO 템플릿만을 사용하며, 니켈전구체를 AAO 템플릿의 표면에 흡착시켜 나노튜브의 형상을 유지하고 이를 건조함으로써 균일 크기의 나노튜브를 쉽게 수득할 수 있다.본 발명의 제조방법에 따라 만들어진 니켈 나노튜브는 경제적인 수소 저장체나 리튬 2차 전지의 전극 또는 자동차 및 기타 이동 에너지의 저장원으로서 활용할 수 있다.니켈, 나노튜브, 템플릿, 용매, 수소저장, 2차 전지, 전극재료
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 53/04 (2011.01) C01G 53/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 53/04(2013.01) C01G 53/04(2013.01) C01G 53/04(2013.01) C01G 53/04(2013.01) C01G 53/04(2013.01) C01G 53/04(2013.01)
출원번호/일자 1020060098220 (2006.10.10)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-0759895-0000 (2007.09.12)
공개번호/일자 10-2007-0045911 (2007.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20070918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050101546   |   2005.10.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해진 대한민국 대전 유성구
2 이진배 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0729619-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0047935-07
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0489719-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5212108-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184293-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5184331-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058386-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5058545-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
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번호 청구항
1 1
(A) AAO 템플릿을 니켈 전구체의 수용액에 담가 니켈 전구체가 AAO 템플릿에 흡착되도록 하는 침지과정; (B) 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 수용액상에서 분리한 후 감압 건조하여 AAO에 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부분을 제거하는 감압건조과정; (C) 건조된 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 산소 존재 하에서 열처리하여 표면에 흡착된 니켈 전구체를 산화시키는 산화과정; (D) 상기 산화된 니켈 전구체가 흡착된 AAO 템플릿을 NaOH 또는 KOH 수용액에 담가 AAO 템플릿만을 용해하는 용해과정; (E) 상기 용해과정에서 생성된 AAO 용액과 고체 형태의 니켈 나노튜브를 고·액분리하는 필터링과정; (F) AAO로부터 분리된 니켈 나노튜브를 건조하는 건조과정; 및(G) 건조과정에서 수분이 제거된 니켈 나노튜브를 하소하는 하소과정;을 포함하는 니켈 나노튜브의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 니켈 전구체는 Ni(NO3)2·6H2O인 것을 특징으로 하는 니켈 나노튜브의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 음극산화알루미늄 템플릿은 기공 크기(pore size)가 180~250㎚, 두께가 40~80㎛인 것을 특징으로 하는 니켈 나노튜브의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 감압건조과정은 40~80℃ 온도 범위내에서 2~5시간동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 니켈 나노튜브의 제조방법
5 5
(A) 제 1 항에 의해 얻어진 니켈 나노튜브에 함침법으로 리튬 전구체와 물을 각각 첨가하여 이온교환을 수행하여 리튬을 첨가시키는 이온교환과정;(B) 상기 리튬이 첨가된 니켈 나노튜브를 감압건조하는 감압건조과정; 및(C) 상기 과정에서 니켈나노튜브에 첨가된 리튬 전구체를 열처리하여 산화시키는 산화과정;(D) 450~550℃에서 하소시키는 하소과정;을 순차적으로 거치는 것을 특징으로 하는 리튬이 첨가된 니켈 나노튜브의 제조방법
6 6
제 5 항에 의한 리튬이 첨가된 니켈 나노튜브를 정극화물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 이차 전지
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.