| 1 |
1
(S1) 페라이트 전구체와 탄소수 6 내지 12의 치환 또는 비치환 알킬사슬을 포함하는 다이아민(di-amine)을 반응시켜, 표면에 아미노기(-NH2)가 형성된 메조기공성(mesoporous) 페라이트 집합체를 제조하는 단계; 및(S2) 상기 메조기공성 페라이트 집합체 표면의 아미노기와 덴드리틱 고분자의 단량체를 반응시켜 상기 메조기공성 페라이트 집합체 표면에 덴드리틱 고분자를 중합시키는 단계를 포함하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 덴드리틱 고분자는 금속성 이온을 공액시킬 수 있는 다수의 작용기를 갖는 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 작용기는 -CH2-, -CONH-, 및 -NH2- 으로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 작용기인 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 덴드리틱 고분자는 1-10 세대수로 구성된 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 (S2) 단계는 표면에 아미노기가 형성된 메조기공성 페라이트 집합체를 용매에 분산시킨 후 에스테르 화합물 및 아민류 화합물을 1:4～10 비율로 50～140 °C에서 12～48시간 동안 아르곤 환경 조건 하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 표면에 아미노기가 형성된 메조기공성 페라이트 집합체의 입자의 크기는 50 ~ 800 nm인 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 페라이트 전구체는 Co, Ni, Cu, Mg, Zn, 및 Fe으로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 원소를 포함하는 일원계, 이원계, 또는 삼원계 금속산화물인 것을 특징으로 하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항의 방법에 따라 제조된 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체를 금속성 이온이 포함된 용액 내 분산시켜 용액 내의 금속성 이온을 흡착시키는 단계를 포함하는, 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체의 금속성 이온 흡착 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 금속성 이온은 구리(Cu(II)), 니켈(Ni(II)), 아연(Zn(II), 납(Pb(II), 카드뮴(Cd(II)), 및 수은(Hg(II))으로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 중금속 이온인 것을 특징으로 하는, 금속성 이온 흡착 방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 용액 내의 금속성 이온의 농도는 1~1000 ppm 인 것을 특징으로 하는, 금속성 이온 흡착 방법
|
| 13 |
13
제1항의 방법에 따라 제조된 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체를 포함하는, 금속성 이온 흡착용 조성물
|
| 14 |
14
(S1) 제1항에 따라 제조된 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체를 중금속이 포함된 용액 내 분산시켜 용액 내의 중금속 이온을 흡착시키는 단계; (S2) 자기력을 이용하여 상기 중금속이 흡착된 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체를 회수하는 단계; 및(S3) 상기 회수된 덴드리틱 고분자가 표면에 중합된 자성 메조기공체에 흡착된 중금속을 세척하는 단계를 포함하는, 용액 내 중금속 이온 제거 방법
|
