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기판 및 상기 기판의 일면 위에 배치되며 1차원 격자 패턴의 구조가 표면에 형성된 Ⅲ족 질화물 층을 포함하되,상기 격자 패턴 구조는 마루 부분과 골 부분이 입사광의 파장보다 작은 주기를 가지도록 배치된 요철 형상의 단면을 가지며,상기 Ⅲ족 질화물 내부로부터 입사한 입사광 중 상기 마루 부분을 투과하는 제 1 광과 상기 골 부분을 투과하는 제 2 광이 상기 격자 패턴 구조에서 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 패턴 구조의 표면에서 반사되는 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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제 1 항에 있어서,상기 Ⅲ족 질화물은 GaN, AlGaN 또는 InGaN 중 하나인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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제 1 항에 있어서,상기 입사광은 300 nm 내지 700 nm의 파장을 갖는 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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제 1 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 주기(Λ)는 λ/2003c#Λ003c#λ인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체(λ는 입사광의 파장)
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제 1 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 상기 마루 부분의 높이(h)는 λ/4(nⅢ족 질화물-1)003c#h003c#λ/(nⅢ족 질화물-1)인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체(λ: 입사광의 파장, nⅢ족 질화물: Ⅲ족 질화물의 굴절률)
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제 1 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 채움률(F)이 0
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7
제 1 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 격자의 경사각(θ)이 0 내지 40도인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체를 포함하는 발광소자
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기판 및 상기 기판의 일면 위에 배치되며 격자 패턴의 구조가 표면에 형성된 Ⅲ족 질화물 층을 포함하되,상기 격자 패턴 구조는 마루 부분과 골 부분이 입사광의 파장보다 작은 주기를 가지도록 2차원적으로 배열된 요철 형상의 단면을 가지고, 상기 격자는 다각형 형태이며,상기 Ⅲ족 질화물 내부로부터 입사한 입사광 중 상기 마루 부분을 투과하는 제 1 광과 상기 골 부분을 투과하는 제 2 광이 상기 격자 패턴 구조에서 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 패턴 구조의 표면에서 반사되는 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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10
제 9 항에 있어서,상기 Ⅲ족 질화물은 GaN, AlGaN 또는 InGaN 중 하나인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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11
제 9 항에 있어서,상기 입사광은 상기 입사광의 유도전기장 방향이 상기 골 부분의 길이 방향과 평행한 TE(transverse electric field) 편광인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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제 9 항에 있어서,상기 입사광은 상기 입사광의 자기장 방향이 상기 골 부분의 길이 방향과 평행한 TM(transverse electric field) 편광인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체
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13
제 9 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 주기(Λ)는 λ/2 003c# Λ 003c# λ인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체(λ는 입사광의 파장)
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제 9 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 상기 마루 부분의 높이(h)는 λ/4(nⅢ족 질화물-1) 003c# h 003c#λ/(nⅢ족 질화물-1)인 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체(λ: 입사광의 파장, nⅢ족 질화물: Ⅲ족 질화물의 굴절률)
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제 9 항에 있어서,상기 격자 패턴 구조의 채움률(F)이 0
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제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체를 포함하는 발광소자
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