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단일이온 전도체를 함유하는 폴리실록산 고분자 레진 및 이를 이용하는 리튬이차전지용 필름

  • 기술번호 : KST2014050502
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 발광효율을 획기적으로 개선할 수 있는 평판디스플레이용 박막형 발광소재의 제조방법 즉, 상대적으로 저가의 공법이며 대형패널의 제작이 가능하여 대량생산에 적합하고 장비의 작동 및 유지관리가 용이한 스퍼터 증착법(Sputter deposition; SD)을 이용하고, 이축응력(biaxial stress)을 적용한 평판디스플레이용 박막형 발광소재의 제조방법에 관해 개시된다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020110009079 (2011.01.28)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0087714 (2012.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김주한 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤의상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0073287-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005277-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0591050-21
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1005026-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1005025-33
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0285531-71
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.05.27 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0463259-30
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0442479-88
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0442480-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내의 아르곤가스와 산소가스의 혼합가스 분위기에서 망가니즈활성 갈륨산아연화합물타겟을 스퍼터증착으로 기판에 증착한 다음 750~850℃의 온도에서 2~5시간 열처리하고, 이축응력을 적용함을 특징으로 하는 평판디스플레이용 박막형 발광소재의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아르곤:산소가스의 유량비는 6~8:2~4이고, 상기 기판은 실리콘(100)웨이퍼임을 특징으로 하는 평판디스플레이용 박막형 발광소재의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 초기진공은 1×10-6토르(torr)이하이고, 상기 열처리는 대기 중에서 행함을 특징으로 하는 평판디스플레이용 박막형 발광소재의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기에서의 이축응력 적용은 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 충북대학교 산학협력단 산학협력중심대학육성사업 RFMS법을 이용한 고효율 녹색발광 소재 개발