맞춤기술찾기

이전대상기술

결정화유도물질을 이용한 전극 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2014050511
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 고용량, 고효율 충방전 특성을 제공할 수 있는 이차 전지용 음극의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 이차 전지용 음극의 제조 방법은, 음극 집전체의 상측에 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 실리콘층의 상측에 금속 캡핑층을 형성하는 단계; 및 상기 금속 캡핑층에 의한 금속 유도 결정화에 따라 상기 실리콘층을 결정화하여 음극 활물질층을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/05 (2010.01.01)
CPC H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01) H01M 4/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120132033 (2012.11.20)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1567884-0000 (2015.11.04)
공개번호/일자 10-2014-0064579 (2014.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20151110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.20)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조규봉 대한민국 경남 진주시 진주대로***번길 *
2 남태현 대한민국 경상남도 진주시 신
3 노정필 대한민국 경남 진주시 초장로**번길 **,
4 김기원 대한민국 경상남도 진주시 진양호로**

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0957355-89
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0570064-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0074145-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0249659-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0540243-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0540242-74
9 등록결정서
Decision to grant
2015.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0745103-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
음극 집전체 상에 실리콘층 및 결정화 유도층의 적층 구조를 형성하는 단계; 및상기 결정화 유도층에 의한 유도 결정화에 따라 상기 실리콘층을 결정화하여 음극 활물질층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 음극 활물질층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘층 및 상기 결정화 유도층을 열처리하는 단계를 포함하고,상기 열처리하는 단계는 상기 결정화 유도층의 융점(melting temperature, Tm)의 절반(0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 음극 활물질층은 결정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 비정질 실리콘의 결합 구조를 포함하는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 결정화 유도층은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 또는 Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 음극 활물질층은 상기 실리콘층의 실리콘과 상기 결정화 유도층의 물질이 혼합된 조직을 가지는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 음극 활물질층은 상기 실리콘층의 실리콘과 상기 음극 집전체의 물질이 반응하여 형성된 금속 실리사이드를 포함하는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 적층 구조를 형성하는 단계는,상기 음극 집전체 상에 상기 실리콘층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘층 상에 상기 결정화 유도층을 형성하는 단계를 포함하는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 적층 구조를 형성하는 단계는,상기 음극 집전체 상에 상기 결정화 유도층을 형성하는 단계; 및상기 결정화 유도층 상에 상기 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는, 이차 전지용 음극의 제조 방법
11 11
제 1 항, 제 4 항, 제 5 항, 및 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 형성된 이차 전지용 음극을 포함하는, 이차 전지
12 12
제 1 항, 제 4 항, 제 5 항, 및 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 형성된 이차 전지용 음극으로서, 상기 이차 전지용 음극은,음극 집전체; 및상기 음극 집전체 상에 배치되고, 실리콘층 및 결정화 유도층을 포함하는 음극 활물질층;을 포함하고,상기 음극 활물질층 내 상기 실리콘층은 상기 결정화 유도층에 의한 유도 결정화에 의해 결정화된, 이차 전지용 음극
13 13
제 12 항에 있어서,상기 음극 활물질층은 상기 실리콘층의 실리콘과 상기 결정화 유도층의 물질이 혼합된 조직을 더 포함하는, 이차 전지용 음극
14 14
제 12 항에 있어서,상기 음극 활물질층은 상기 음극 집전체 상의 상기 실리콘층, 상기 실리콘층 상의 상기 결정화 유도층을 포함하는, 이차 전지용 음극
15 15
제 12 항에 있어서,상기 음극 활물질층은 상기 음극 집전체 상의 상기 결정화 유도층, 및 상기 결정화 유도층 상의 상기 실리콘층을 포함하는, 이차 전지용 음극
16 16
제 12 항에 있어서,상기 음극 활물질층은 상기 실리콘층의 실리콘과 상기 음극 집전체의 물질이 반응하여 형성된 금속 실리사이드를 포함하는, 이차 전지용 음극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 일반연구자 지원사업 이차전지용 고용량 음극소재의 응력 및 부피변화 완화기술
2 교육과학기술부 한국연구재단 미래융합파이오니어사업 (1세부)인체이식형 나노배터리 개발