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자기 랜덤 액세스 메모리 장치 및 그것의 쓰기 방법

  • 기술번호 : KST2014050539
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 자기 랜덤 액세스 메모리 장치는 메모리 셀, 및 메모리 셀에 데이터 쓰기를 위한 변위 전류를 발생시키는 시변 전기장을 인가하는 쓰기 회로를 포함한다. 여기서, 변위 전류에 의해 유도된 회전 자기장에 의해 메모리 셀의 자화 방향이 설정된다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01)
CPC G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01) G11C 11/1675(2013.01)
출원번호/일자 1020100068797 (2010.07.16)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1251417-0000 (2013.04.01)
공개번호/일자 10-2012-0008131 (2012.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.16)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조재경 대한민국 경상남도 진주시 평거로**번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 경상남도 진주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0458893-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069671-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0690805-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0060501-65
6 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0060502-11
7 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0012637-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5079647-31
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0433984-88
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0790224-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0027366-59
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0129782-52
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0129779-14
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0185587-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 셀; 및상기 메모리 셀에 데이터 쓰기를 위한 변위 전류를 발생시키는 시변 전기장을 인가하는 쓰기 회로를 포함하고,상기 변위 전류에 의해 유도된 시계 또는 반시계 방향의 회전 자기장에 의해 상기 메모리 셀의 자화 방향이 설정되는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 시변 전기장은 전압 펄스인 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전압 펄스의 전압 하강 시에 발생되는 변위 전류는 시계 방향의 회전 자기장을 유도하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서,상기 변위 전류는 상기 전압 펄스의 전압 상승 시에 발생되는 변위 전류는 반시계 방향의 회전 자기장을 유도하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 메모리 셀을 액세스 하는 액세스 소자를 더 포함하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 액세스 소자는 박막트랜지스터임을 특징으로 하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
7 7
자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법에 있어서,메모리 셀에 데이터 쓰기를 위한 변위 전류를 발생시키는 시변 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 변위 전류에 의해 유도된 회전 자기장이 상기 메모리 셀의 자화 방향을 설정하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 시변 전기장을 인가하는 단계는전압 펄스를 인가하는 단계를 포함하는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 전압 펄스가 양의 전압 펄스인 경우, 시계 방향으로 상기 메모리 셀의 자화 방향이 설정되는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 전압 펄스가 음의 전압 펄스인 경우, 반시계 방향으로 상기 메모리 셀의 자화 방향이 설정되는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치의 쓰기 방법
12 12
제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 메모리층, 그리고 상기 메모리층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 메모리 셀; 그리고,상기 메모리 셀의 제1 전극 및 제2 전극 사이에 시변 전기장을 인가하는 회로를 포함하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 시변 전기장에 의해 상기 메모리 층의 자화 방형이 설정되는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
13 13
제12 항에 있어서, 상기 시변 전기장은 전압 펄스인 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
14 14
제13 항에 있어서, 상기 전압 펄스가 양의 전압 펄스인 경우 시계 방향으로 자화 방향이 설정되고, 음의 전압 펄스인 경우 반시계 방향으로 자화 방향이 설정되는 자기 랜덤 액세스 메모리 장치
15 15
제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 자기 메모리층, 그리고 상기 자기 메모리층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하는 자기 메모리 셀의 정보 기록 방법에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 시변 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 자기 메모리 셀의 정보 기록 방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 시변 전기장을 인가하는 단계는, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 전압 펄스를 인가하는 단계를 포함하는 자기 메모리 셀의 정보 기록 방법
17 17
제16 항에 있어서, 상기 전압 펄스가 양의 전압 펄스인 경우 시계 방향으로 자화 방향이 설정되고, 음의 전압 펄스인 경우 반시계 방향으로 자화 방향이 설정되는 자기 메모리 셀의 정보 기록 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.