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실리콘 나노와이어 표면에 n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층이 순차 적층된 나노와이어 발광층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층이 제거되어 노출된 상기 n형 반도체층 상의 n전극 및 상기 p형 반도체층 상의 p전극을 포함하는 나노와이어 LED 소자; 및 상기 나노와이어 LED 소자가 복수개 나열되는 기판;을 포함하는 나노와이어 LED 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 n전극은, 복수개의 나노와이어 LED 소자 어레이의 n형 반도체층 상에 일괄적으로 형성되고,상기 p전극은 상기 나노와이어 LED 소자 어레이의 p형 반도체층 상에 일괄적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 LED 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어 및 상기 n형 반도체층 사이에 버퍼층;을 더 포함하는 나노와이어 LED 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 기판은 열전도성이 있는 것을 특징으로 하는 나노와이어 LED 소자 어레이
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실리콘 나노와이어 표면에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하는 단계;상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층된 복수개의 실리콘 나노와이어를 지지기판 상에 트랜스퍼하는 단계;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층을 제거하여 n형 반도체층을 노출시키고, 노출된 n형 반도체층 상에 n전극을 형성하는 단계; 및 상기 p형 반도체층 상에 p전극을 형성하는 단계;를 포함하는 나노와이어 LED 소자 어레이 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어는, 실리콘 기판의 적어도 일면에 제1산화물막을 형성하는 단계;상기 제1산화물막이 형성된 실리콘 기판 상에 실리콘 나노와이어가 형성될 영역을 포토레지스트 패터닝 및 실리콘 비등방 건식식각하여 트렌치 구조를 형성하는 단계;실리콘 비등방식각 용액으로 습식식각하는 단계;열산화공정을 수행하는 단계; 및 상기 열산화공정으로 형성된 제2산화물막을 제거하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 LED 소자 어레이 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 n전극은 상기 나노와이어 LED 소자 어레이의 n형 반도체층 상에 일괄적으로 형성되고, 상기 p전극은 상기 나노와이어 LED 소자 어레이의 p형 반도체층 상에 일괄적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 LED 소자 어레이 제조방법
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