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태양 전지용 글라스 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014050688
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 글라스 기판의 전체 표면에 액상의 시클로펜타실란을 도포하는 단계; 글라스 기판의 표면 상에 도포된 시클로펜타실란을 건조하는 단계; 글라스 기판의 표면 상에서 건조된 시클로펜타실란막에 자외선을 조사하여 시클로펜타실란을 비정질 폴리실란막으로 전환시키는 단계; 글라스 기판 및 비정질 폴리실란막에 대한 열처리를 실시하여 비정질 폴리실란막을 비정질 실리콘막으로 변화시키는 단계; 및 글라스 기판 표면에 형성된 비정질 실리콘막에 전자-빔을 조사하여 비정질 실리콘막을 결정질 실리콘막으로 전환시키는 단계를 포함하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01) H01L 31/036(2013.01)
출원번호/일자 1020110038982 (2011.04.26)
출원인 주식회사 한국씨앤에스, 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0121165 (2012.11.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 한국씨앤에스 대한민국 광주광역시 북구
2 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 나용범 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0310450-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0132684-61
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0243893-77
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2016-5180006-82
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049510-64
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0085898-13
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0247260-14
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0247259-78
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0526646-03
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.08.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0831185-86
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0831184-30
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0642135-72
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양 전지용 글라스 기판 제조 방법에 있어서, 글라스 기판의 전체 표면에 액상의 시클로펜타실란을 도포하는 단계;글라스 기판의 표면 상에 도포된 시클로펜타실란을 건조하는 단계;글라스 기판의 표면 상에서 건조된 시클로펜타실란막에 자외선을 조사하여 시클로펜타실란을 비정질 폴리실란막으로 전환시키는 단계;글라스 기판 및 비정질 폴리실란막에 대한 열처리를 실시하여 비정질 폴리실란막을 비정질 실리콘막으로 전환시키는 단계; 및글라스 기판 표면에 형성된 비정질 실리콘막에 전자-빔을 조사하여 비정질 실리콘막을 결정질 실리콘막으로 전환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 시클로펜타실란 도포 단계 및 건조 단계는 무습도 및 무산소 분위기, 무습도 및 질소 가스 분위기 또는 무습도 및 불활성 가스 분위기 중 어느 하나의 분위기 하에서 각각 실시되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 시클로펜타실란 도포 단계는 글라스 기판이 700 내지 1,300 rpm의 회전 속도로 실시되는 스핀 코팅 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 자외선 조사 단계에서 조사되는 자외선은 파장이 350 내지 450 나노미터(nanometer)이며, 60초 미만의 시간 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 열처리 단계는 글라스 기판에 변형이 일어나지 않는 범위의 열인 200 내지 300도의 열을 이용하며, 질소 분위기 또는 대기 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 글라스 기판 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 전자 빔은 약 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.