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피티씨 고분자 조성물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014050877
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 PTC 고분자 조성물의 제조방법이 개시된다. 본 PTC 고분자 조성물의 제조방법은, (a)고밀도 폴리에틸렌 분말에 방사선으로 소정의 극성 단량체를 그라프트시키는 단계; (b)상기 극성 단량체가 그라프트된 조성물의 카르복실기에 전도성 금속이온을 혼입하는 단계; (c)상기 단계 (b)를 마친 조성물을 고밀도 폴리에틸렌 수지와 함께 카본블랙과 균일하게 혼합하는 단계; 및 (d)상기 단계(c)를 마친 조성물의 양면에 도전성 금속박막이 부착된 상태로 시트를 성형하고, 방사선을 조사함으로써 PTC 고분자 조성물을 생성하는 단계를 포함하여 이루어 진다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 전도성 금속이온이 도입된 그라프트 폴리에틸렌 분말을 혼합함으로서 폴리에틸렌수지/카본블랙 블렌드에 대한 도전성 금속 박막의 접착력, 카본블랙과 수지 메트릭스간의 상용성 및 접착력을 향상시키고, 연속 사용에서도 재현성이 크게 향상되며, 과전류에서는 PTC 강도가 클 뿐만 아니라, 상업적으로 컴팩트 한 PTC 장치를 제작할 수 있다.
Int. CL C08K 3/24 (2006.01.01) C08L 23/04 (2006.01.01) C08K 3/16 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) C08K 3/04 (2006.01.01)
CPC C08K 3/24(2013.01) C08K 3/24(2013.01) C08K 3/24(2013.01) C08K 3/24(2013.01) C08K 3/24(2013.01) C08K 3/24(2013.01)
출원번호/일자 1020010005240 (2001.02.03)
출원인 한국원자력연구원, 한국전력공사
등록번호/일자 10-0584808-0000 (2006.05.23)
공개번호/일자 10-2002-0064812 (2002.08.10) 문서열기
공고번호/일자 (20060530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노영창 대한민국 서울특별시강남구
2 강필현 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-0023476-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
3 출원심사청구서
Request for Examination
2004.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0383748-90
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0072904-09
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0632761-39
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0749136-87
8 의견서
Written Opinion
2005.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0749131-59
9 등록결정서
Decision to grant
2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0291186-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
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번호 청구항
1 1
(a) 고밀도 폴리에틸렌 분말에 방사선 조사에 의해 아크릴산, 메타크릴산 및 비닐포스폰산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 극성 단량체를 그라프트시키는 단계; (b) 상기 극성 단량체가 그라프트된 조성물의 카르복실기에 전도성 금속이온을 첨가하는 단계; (c) 상기 단계 (b)를 마친 조성물을 고밀도 폴리에틸렌 수지와 함께 카본블랙과 균일하게 혼합하는 단계; 및 (d) 상기 단계(c)를 마친 조성물의 양면에 도전성 금속박막이 부착된 상태로 시트를 성형하고, 방사선을 조사함으로써 PTC 고분자 조성물을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
1 1
(a) 고밀도 폴리에틸렌 분말에 방사선 조사에 의해 아크릴산, 메타크릴산 및 비닐포스폰산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 극성 단량체를 그라프트시키는 단계; (b) 상기 극성 단량체가 그라프트된 조성물의 카르복실기에 전도성 금속이온을 첨가하는 단계; (c) 상기 단계 (b)를 마친 조성물을 고밀도 폴리에틸렌 수지와 함께 카본블랙과 균일하게 혼합하는 단계; 및 (d) 상기 단계(c)를 마친 조성물의 양면에 도전성 금속박막이 부착된 상태로 시트를 성형하고, 방사선을 조사함으로써 PTC 고분자 조성물을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
2 2
삭제
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 폴리에틸렌 분말에 그라프트되는 단량체는 용매와 혼합하여 사용되며, 이때 용매로는 물, 메탄올, 에탄올 용액 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 폴리에틸렌 분말에 그라프트되는 단량체는 용매와 혼합하여 사용되며, 이때 용매로는 물, 메탄올, 에탄올 용액 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단량체는 상기 용매에 대해 3∼90 부피%가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단량체는 상기 용매에 대해 3∼90 부피%가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 조사에 사용되는 방사선으로는 감마선이나 전자선 중의 어느 하나가 사용되며, 방사선 조사량은 1∼100 KGy인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 조사에 사용되는 방사선으로는 감마선이나 전자선 중의 어느 하나가 사용되며, 방사선 조사량은 1∼100 KGy인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
6 6
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 그라프트 반응에서 단일중합체의 형성을 억제하기 위해 단량체 용액에 CuSO4·5H2O, FeSO4·7H2O, FeCl2·4H2O 또는 CuCl2 중의 어느 하나를 첨가하는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
6 6
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 그라프트 반응에서 단일중합체의 형성을 억제하기 위해 단량체 용액에 CuSO4·5H2O, FeSO4·7H2O, FeCl2·4H2O 또는 CuCl2 중의 어느 하나를 첨가하는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 그라프트된 폴리에틸렌 분말에 전도성 금속이온의 첨가를 위해 사용되는 금속염으로는 CuSO4, FeSO4, FeCl2, CuCl2, AgNO3 또는 AgCl 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 그라프트된 폴리에틸렌 분말에 전도성 금속이온의 첨가를 위해 사용되는 금속염으로는 CuSO4, FeSO4, FeCl2, CuCl2, AgNO3 또는 AgCl 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 그라프트시 사용되는 폴리에틸렌 분말의 입도는 1마이크론∼50마이크론인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 방사선 그라프트시 사용되는 폴리에틸렌 분말의 입도는 1마이크론∼50마이크론인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 전도성 금속이온이 첨가된 그라프트 폴리에틸렌 분말의 조성이 순수 폴리에틸렌에 대해서 1중량%∼30중량%인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 전도성 금속이온이 첨가된 그라프트 폴리에틸렌 분말의 조성이 순수 폴리에틸렌에 대해서 1중량%∼30중량%인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 단계 (c)에서의 전체 수지양에 대해서 카본블랙의 함량이 40중량%∼60중량%이고, 카본 블랙의 입경은 60∼300nm인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 단계 (c)에서의 전체 수지양에 대해서 카본블랙의 함량이 40중량%∼60중량%이고, 카본 블랙의 입경은 60∼300nm인 것을 특징으로 하는 PTC 고분자 조성물의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.