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저면적 싱글 폴리 이이피롬 메모리

  • 기술번호 : KST2014050908
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 싱글 폴리 이이피롬 메모리에 관한 것으로, 통상의 CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor) 공정 기반에서 특성 저하 없이 싱글 폴리 이이피롬 셀(single poly EEPROM cell)의 사이즈를 줄이는 한편, 사용된 MOS 소자의 수를 감축시킨 싱글 폴리 이이피롬 메모리에 관한 것이다.본 발명은 FN 터널링 방식으로 플로팅게이트(FG)의 전자를 방출시키는 시지 모스 커패시터(MC1)와 티지_센스 트랜지스터(MN1) 및 과소거 되었을 때 비트선(BL)에서의 off-누설전류를 감소시키는 셀렉트 트랜지스터(MN2)를 포함하여 이루어지되, 셀 어레이의 딥엔웰영역(DNW, Deep N-Well)을 공유하며, 상기 티지_센스 트랜지스터(MN1)와 셀렉트 트랜지스터(MN2)의 P형웰영역(PW)을 공유하는 싱글 폴리 이이피롬 셀로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명은 쓰기 모드(write mode)에서 RFID태그칩의 인식 거리를 증가시키기 위하여 FN터널링 방식을 이용하되, 0.18㎛ 공정을 이용하여 레이아웃(layout)된 이이피롬 셀의 사이즈는 7.6㎛ㅧ3.67㎛(=27f.89㎛2)으로 기존 cell에 비해 비트 셀(bit cell) 사이즈를 32.4% 축소시키는 한편, 사용된 MOS 소자의 수를 감축시키는 효과를 얻는다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020120099242 (2012.09.07)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1357847-0000 (2014.01.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)
2 고윤호 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0723898-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036605-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0586028-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0942550-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0942552-61
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0039672-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
FN 터널링 방식으로 플로팅게이트(FG)의 전자를 방출시키거나 플로팅게이트로 전자를 주입하는 티지_센스 트랜지스터(MN1);커플링 커패시터 역할을 하는 시지 모스 커패시터(MC1); 및 과소거 되었을 때 비트선(BL)에서의 off-누설전류를 감소시키는 셀렉트 트랜지스터(MN2);를 구비하되, 셀 어레이의 딥엔웰영역(DNW)을 공유하면서 3개의 MOS소자를 가지며, 상기 티지_센스 트랜지스터(MN1)와 셀렉트 트랜지스터(MN2)의 P형웰영역(PW)을 공유하는 싱글 폴리 이이피롬 셀(1)로 이루어진 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
2 2
제 1항에 있어서, 상기 싱글 폴리 이이피롬 셀(1)을 포함하는 이이피롬 셀 어레이(10);동작 모드에 따라 컨트롤 신호를 발생시키는 컨트롤로직(20); 어드레스에 따라 다수개의 row 중에 하나를 선택하여 워드 라인(WL)과 컨트롤 게이트(CG)의 노드에 전압을 공급하는 로우 드라이버(30);읽기 모드에서 비트 라인(BL)의 데이터를 버퍼(50)의 입력인 데이터 라인(DL)에 전달하는 비트 라인 스위치(40);읽기 데이터를 데이터 라인(DL)으로부터 읽어내는 버퍼(50);터널 게이트 드라이버(60); 및 쓰기 기능에 필요한 고전압인 VPP(+4
3 3
싱글 폴리 이이피롬 메모리에 있어서,상기 싱글 폴리 이이피롬 메모리는 싱글 폴리 이이피롬 셀(1)로 구성되고,상기 싱글 폴리 이이피롬 셀(1)은제1 단자 및 제2 단자에 컨트롤 게이트(CG)가 연결되고, 제3 단자는 플로팅게이트(FG)에 연결된 시지 모스 커패시터(MC1);제2 단자에 터널 게이트(TG)가 연결되고, 제3 단자는 상기 플로팅게이트(FG)와 연결되는 티지_센스 트랜지스터(MN1); 및제1 단자에 비트선(BL)이 연결되고, 제2 단자는 티지_센스 트랜지스터(MN1)의 제1 단자와 연결되며, 제3 단자는 워드 라인(WL)이 연결되는 셀렉트 트랜지스터(MN2);로 구성되며,상기 티지_센스 트랜지스터(MN1)와 상기 셀렉트 트랜지스터(MN2)는 P형웰영역(PW)을 공유하는 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
4 4
제 3항에 있어서, 상기 티지_센스 트랜지스터(MN1)는 FN 터널링 방식으로 상기 플로팅게이트(FG)의 전자를 방출시키거나 상기 플로팅게이트(FG)로 전자를 주입하는 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
5 5
제 3항에 있어서, 상기 시지 모스 커패시터(MC1)는 커플링 커패시터 역할을 하는 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
6 6
제 3항에 있어서, 셀렉트 트랜지스터(MN2)는과소거 되었을 때 비트선(BL)에서의 off-누설전류를 감소시키는 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
7 7
제 3항에 있어서,상기 시지 모스 커패시터(MC1), 상기 티지_센스 트랜지스터(MN1) 및 상기 셀렉트 트랜지스터(MN2)의 딥엔웰영역(DNW)을 공유하는 것을 특징으로 하는 싱글 폴리 이이피롬 메모리
8 8
제 3항에 있어서, 상기 싱글 폴리 이이피롬 셀(1)을 포함하는 이이피롬 셀 어레이(10); 동작 모드에 따라 컨트롤 신호를 발생시키는 컨트롤로직(20); 어드레스에 따라 다수개의 row 중에 하나를 선택하여 워드 라인(WL)과 컨트롤 게이트(CG)의 노드에 전압을 공급하는 로우 드라이버(30); 읽기 모드에서 비트 라인(BL)의 데이터를 버퍼(50)와 연결된 데이터 라인(DL)에 전달하는 비트 라인 스위치(40); 읽기 데이터를 데이터 라인(DL)으로부터 읽어내는 버퍼(50); 및터널 게이트 드라이버(60) 및 쓰기 기능에 필요한 고전압인 VPP(+4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.