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기판을 마련하는 단계;상기 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상에 AZO(aluminium doped ZnO) 촉매층을 형성하는 단계;상기 AZO 촉매층의 표면을 대기압 플라즈마 표면 처리하는 단계;상기 표면 처리된 AZO 촉매층 상에 0
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제1항에 있어서,상기 고농도 성장 용액은Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine가 0
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제1항에 있어서,상기 고농도 성장 용액은몰농도가 0
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제1항에 있어서,상기 형성 단계는상기 고농도 성장 용액의 온도를 70-90 ℃로 설정하며, 1-2시간 설정 환경을 가지는 수열합성법이 수행되는 단계인 것을 특징으로 하는 나노 발전기 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 필름형 ZnO 나노와이어층 상에 PVDF층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 발전기 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 PVDF층은 1 ~ 500 nm 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 나노 발전기 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 필름형 ZnO 나노와이어층 형성 이후 및 상기 PVDF층 형성 이전에 초음파 세정 및 열처리 과정을 통하여 형성된 필름형 ZnO 나노와이어층의 결함을 제거하는 단계;상기 PVDF층 형성 후 100 ℃에서 5분 환경에서 열처리 과정을 통하여 큐어링하는 단계; 및상기 PVDF층 상에 일정 두께의 Cr 전극층과 일정 두께의 금 박막층을 포함하는 제2 전극층을 형성하는 단계; 중 적어도 하나의 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 발전기 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 발전기 제조 방법에 의하여 제조된 나노 발전기
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