| 1 |
1
기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 이격된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하고, 상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하고 있으며, 상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 애노드; 및상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 캐소드를 포함하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 배리어층;상기 배리어층을 관통하여 상기 버퍼층까지 파인 트렌치;상기 배리어층 및 상기 트렌치 표면에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하고 상기 배리어층에 접하며, 상기 트렌치를 사이에 두고 위치하는 소스 전극과 드레인 전극;상기 트렌치에 위치하며 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층 및 상기 버퍼층과 이격된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하고, 상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하고 있으며, 상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 애노드; 및상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 캐소드를 포함하는 반도체 소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극이 상기 배리어층에 형성된 트렌치에 삽입되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 배리어층에 접하는 상기 버퍼층의 계면에 2차원 전자가스(2-DEG) 또는 전자채널층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 5 |
5
청구항 2에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 버퍼층이 접하는 계면에 2차원 전자가스(2-DEG) 또는 전자채널층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 6 |
6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 애노드와 상기 게이트 전극을 절연시키기 위한 제2 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 버퍼층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 8 |
8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 배리어층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 9 |
9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 의해서 구성되는 트랜지스터의 턴온 전압이 0V 이상이고, 상기 애노드와 상기 캐소드에 의해서 구성되는 다이오드의 턴온 전압이 2V 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 10 |
10
기판에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 배리어층을 형성하는 단계;상기 배리어층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 절연된 게이트 전극을 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 상기 게이트 절연층 위에 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층 및 상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하는 애노드를 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 형성하는 단계: 및상기 애노드를 상기 소스 전극에 전기적으로 연결하고, 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하기 전에, 게이트 전극이 형성될 위치에 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 단계에서, 상기 트렌치를 상기 배리어층을 관통하여 상기 버퍼층까지 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 10에 있어서,상기 버퍼층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 10에 있어서,상기 배리어층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
|
