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(a) 몰드에 하방이 막혀 있는 비아 홀들을 형성시키는 단계;(b) 상기 비아 홀들에 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성시키는 단계;(c) 상기 몰드의 위 면과 아래 면을 연마하여 열전박막 레그들이 몰드를 상하로 관통하여 상기 몰드의 위 면과 아래 면에 노출되도록 하는 단계;(c) 상기 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그가 전기적으로는 직렬연결 되며 열적으로는 병렬연결 되도록 박막전극을 형성하는 단계; (d) 상기 몰드의 위 면이나 아래 면 또는 측면에 전극 패드를 형성하는 단계; 및(e) 상기 몰드의 표면에 절연층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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(a) 몰드에 상하로 관통하는 비아 홀들을 형성시키는 단계;(b) 상기 비아 홀들에 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성시키는 단계;(c) 상기 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그가 전기적으로는 직렬연결 되며 열적으로는 병렬연결 되도록 박막전극을 형성하는 단계; (d) 상기 몰드의 위 면이나 아래 면 또는 측면에 전극 패드를 형성하는 단계; 및(e) 상기 몰드의 표면에 절연층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 몰드는 실리콘(Si)을 사용하여 이루어지며, 상기 n형 열전박막 레그는 비스무스 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지며, 상기 p형 열전박막 레그는 안티모니 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 비아 홀들은 몰드에 대한 Deep RIE, 레이저 가공, 드릴 가공 또는 습식 에칭법 중 적어도 하나를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 몰드는 실리콘(Si), SiO2, Al2O3, AlN, 유리, 글라스-세라믹, SiC, Si3N4 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 세라믹을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 몰드는 FR4, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 고분자를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 n형 열전박막 레그는 n형 Bi2Te3, (Bi,Sb)2Te3, Bi2(Te,Se)3, SiGe, (Pb,Ge)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지며, 상기 p형 열전박막 레그는 p형 Bi2Te3, Sb2Te3, (Bi,Sb)2Te3, SiGe, (Pb,Sn)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 전기도금, 무전해 도금, 스퍼터링, 무전해도금, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 후막 페이스트의 스크린 프린팅법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 박막전극은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전극 패드들은 스퍼터링, 진공증착, 전기도금, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy), 스크린 프린팅, 마이크로 jet 프린팅 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연층은 SiO2, Al2O3, AlN, 유리, 글라스-세라믹, SiC, Si3N4 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 세라믹 또는 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 고분자를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 몰드에 구비한 비아 홀들에 n형 열전박막 레그들을 형성한 후 p형 열전박막 레그들을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 몰드에 구비한 비아 홀들에 p형 열전박막 레그들을 형성한 후 n형 열전박막 레그들을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 한 쌍의 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그 또는 한 쌍 이상의 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
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제 1항 또는 제 2항의 제조방법으로 제조된 열전박막 모듈
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