| 1 |
1
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 기판의 박막전극에 UBM(Under Bump Metallurgy, 범프 하지 금속)과 솔더가 구비된 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 대응 기판의 박막전극에 본딩 패드들을 형성하는 단계;(d) 열전박막 레그들을 형성한 기판에 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하거나, 또는 본딩 패드들을 형성한 대응 기판에 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하거나, 또는 두 기판에 모두 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하는 단계; 및(e) 대응 기판의 본딩 패드들을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 솔더에 배열하고 본딩압력을 가하여 솔더를 본딩 패드에 기계적 접합시킨 후 접착제를 큐어링하며 솔더를 리플로우 하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 2 |
2
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 기판의 박막전극에 상부에 UBM(Under Bump Metallurgy, 범프 하지 금속)과 솔더가 구비된 n형 열전박막 레그들과 상부에 UBM과 솔더가 구비된 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 대응 기판의 박막전극에 본딩 패드들을 형성하는 단계;(d) 열전박막 레그들을 구비한 기판과 본딩 패드들을 구비한 대응 기판의 사이에 비전도성 접착필름 또는 이방성 전도접착 필름을 삽입하는 단계; 및(e) 대응 기판의 본딩 패드들을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 솔더에 배열하고 본딩압력을 가하여 솔더를 본딩 패드에 기계적 접합시킨 후 접착필름을 큐어링하며 솔더를 리플로우 하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 3 |
3
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 박막전극의 일부에 UBM(Under Bump Metallurgy, 범프 하지 금속)과 솔더가 구비된 n형 열전박막 레그들을 형성시키고 다른 일부에는 본딩 패드를 형성하는 단계; (c) 대응 기판의 박막전극의 일부에 UBM과 솔더가 구비된 p형 열전박막 레그들을 형성시키고 다른 일부에는 본딩 패드를 형성하는 단계; (d) 열전박막 레그들을 구비한 기판들에 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하는 단계; 및(e) 대응 기판의 본딩 패드들을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 솔더에 배열하고 본딩압력을 가하여 솔더를 본딩 패드에 기계적 접합시킨 후 접착제를 큐어링하며 솔더를 리플로우 하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 4 |
4
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 기판의 박막전극에 UBM(Under Bump Metallurgy, 범프 하지 금속)과 솔더가 구비된 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 열전박막 레그들을 형성한 기판에 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하거나, 또는 대응 기판에 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하거나, 또는 두 기판에 모두 비전도성 접착제 또는 이방성 전도접착제를 도포하는 단계; 및(d) 대응 기판의 박막전극을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 솔더에 배열하고 본딩압력을 가하여 솔더를 대응 기판의 박막전극에 기계적 접합시킨 후 접착제를 큐어링하며 솔더를 리플로우 하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)을 사용하여 이루어지며, 상기 n형 열전박막 레그는 비스무스 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지며, 상기 p형 열전박막 레그는 안티모니 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), SiO2, Al2O3, AlN, 유리, 글라스-세라믹, SiC, Si3N4 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 세라믹을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 FR4, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 고분자를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n형 열전박막 레그는 n형 Bi2Te3, (Bi,Sb)2Te3, Bi2(Te,Se)3, SiGe, (Pb,Ge)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지며, p형 열전박막 레그는 p형 Bi2Te3, Sb2Te3, (Bi,Sb)2Te3, SiGe, (Pb,Sn)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 전기도금, 스퍼터링, 무전해도금, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 후막 페이스트의 스크린 프린팅법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 11 |
11
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막전극은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 12 |
12
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 한 쌍의 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그 또는 한 쌍 이상의 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 13 |
13
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 UBM은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 14 |
14
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 솔더는 주석(Sn)에 은(Ag), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 납(Pb), 금(Au) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 15 |
15
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 솔더는 진공증착, 전기도금, 무전해도금, 스퍼터링, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈의 제조방법
|
| 16 |
16
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본딩 패드는 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
|
| 17 |
17
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 열전박막 모듈
|
