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접착제 플립칩 본딩을 이용한 열전박막 모듈의 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전박막 모듈

  • 기술번호 : KST2014051152
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전박막 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제조공정 중의 불량을 방지하고 특성과 신뢰성의 향상을 이루기 위해 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 사용하여 열전박막 레그들을 플립칩 본딩하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈의 제조방법과 이에 의해 이루어지는 열전박막 모듈을 제공한다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020130024679 (2013.03.07)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1474635-0000 (2014.12.12)
공개번호/일자 10-2014-0110412 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20141219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140092858;
심사청구여부/일자 Y (2013.03.07)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오태성 대한민국 서울특별시 송파구
2 최정열 대한민국 서울특별시 노원구
3 김민영 대한민국 서울특별시 영등포구
4 김재환 대한민국 경기도 광명시 도덕
5 신광재 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정상규 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0202035-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103877-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0050577-50
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280268-94
6 보정요구서
Request for Amendment		 2014.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0056827-56
7 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0322934-68
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380326-67
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0482882-90
10 보정요구서
Request for Amendment		 2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0091726-19
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0524612-54
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0583755-91
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0107186-73
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0690368-12
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0690367-66
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0690401-21
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0739470-90
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1045526-02
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0820475-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 상기 기판의 박막전극에 본딩층이 구비된 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 대응 기판에 박막전극들을 형성하는 단계;(d) 본딩층이 구비된 열전박막 레그들을 형성한 기판에 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 도포하거나 또는 박막전극을 형성한 대응 기판에 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 도포하는 단계; 및(e) 대응 기판의 박막전극들을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 본딩층에 플립칩 배열하고 본딩압력을 가하면서 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 큐어링하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
2 2
삭제
3 3
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 상기 기판의 박막전극에 본딩층이 구비된 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 대응 기판에 박막전극들을 형성하는 단계;(d) 열전박막 레그들의 상단에 구비한 본딩층에 등방성 전도접착제를 도포하거나 또는 대응 기판의 박막전극에 등방성 전도접착제를 도포하는 단계; 및(e) 대응 기판의 박막전극들을 열전박막 레그들의 상부에 구비된 본딩층에 플립칩 배열하고 본딩압력을 가하면서 등방성 전도접착제를 큐어링하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
4 4
(a) 기판에 박막전극들을 형성시키는 단계;(b) 기판의 박막전극에 본딩층이 구비된 n형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계; (c) 기판의 박막 전극에 본딩층이 구비된 p형 열전박막 레그들을 형성시키는 단계;(d) n형 열전박막 레그들을 구비한 기판과 p형 열전박막 레그들을 구비한 기판에 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 도포하는 단계; 및(e) 열전박막 레그들을 대응 기판의 박막전극에 플립칩 배열하고 본딩압력을 가하면서 이방성 전도접착제 또는 비전도성 접착제를 큐어링하여 플립칩 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
5 5
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)을 사용하여 이루어지며, 상기 n형 열전박막 레그는 비스무스 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지며, 상기 p형 열전박막 레그는 안티모니 테루라이드 박막을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
6 6
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), SiO2, Al2O3, AlN, 유리, 글라스-세라믹, SiC, Si3N4 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 세라믹을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n형 열전박막 레그는 n형 Bi2Te3, (Bi,Sb)2Te3, Bi2(Te,Se)3, SiGe, (Pb,Ge)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지며, p형 열전박막 레그는 p형 Bi2Te3, Sb2Te3, (Bi,Sb)2Te3, SiGe, (Pb,Sn)Te, PbTe 열전박막들 중의 어느 하나 또는 둘 이상의 조합을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
9 9
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 전기도금, 스퍼터링, 무전해도금, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 중 적어도 하나의 방법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
10 10
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 후막 페이스트의 스크린 프린팅법을 사용하여 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
11 11
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막전극은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
12 12
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 한 쌍의 n형 열전박막 레그와 p형 열전박막 레그 또는 한 쌍 이상의 n형 열전박막 레그들과 p형 열전박막 레그들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
13 13
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본딩층은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
14 14
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막전극의 일부에 본딩 패드를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
15 15
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 본딩 패드는 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 조성의 금속을 조합하여 단일층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전박막 모듈 제조방법
16 16
제 1항, 제 3항 또는 제 4항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 열전박막 모듈
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 홍익대학교 일반연구자지원사업 열전박막을 이용한 마이크로 열전소자의 형성공정 및 열전특성 연구
2 교육과학기술부 홍익대학교 중견연구자지원사업 고전류밀도 초고휘도 LED용 신개념 패키징 기술 연구