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작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부(210, 310, 410, 510), 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부(220, 320, 420, 520)를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브(40, 200, 300, 400, 500)
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제1항에 있어서, 상기 지지부가 고정되어 있고 또한 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판(600)에 고정되는 고정부(330)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 선단부는 상기 지지부와 연결되어 있는 결합부(211, 311, 411, 511)와 이 결합부와 일체로 형성되어 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되는 접촉부(212, 312)를 포함하고, 상기 접촉부는 반도체 칩의 패드(20)와 선접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
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제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 결합부에 대하여 경사진 두 개의 경사면이 만나서 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
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제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 일정한 간격을 두고 두 개의 부분에서 이루어지고, 그리고 상기 선접촉의 각각은 결합부에 대하여 경사져 있는 각각의 경사부(412, 512)에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
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제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 선접촉이 결합부에 대하여 경사져 있는 경사부에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브
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삭제
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제1항 또는 제2항의 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드
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베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;상기 전착층위의 물질을 에칭하여 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부 및 상기 선단부를 지지하고 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 및상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하는 단계를 포함하는 수직형 프로브의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 베이스 플레이트가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 베이스 플레이트와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브의 제조방법
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베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;상기 전착층위의 물질을 에칭하여 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부 및 상기 선단부를 지지하고 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하여 수직형 프로브를 제조하는 단계; 및 상기와 같이 제조된 수직형 프로브를 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 베이스 플레이트가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 베이스 플레이트와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법
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