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이미다졸륨계 고분자에 지지된 산촉매를 이용한함불소알콕시트리알킬실란의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051262
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 함불소알콕시트리알킬실란의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 헥사알킬디실록산과 함불소알코올을 반응시켜 함불소알콕시트리알킬실란을 제조함에 있어, 할로겐산, 아세트산, 황산, 메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 및 톨루엔설폰산 중에서 선택된 통상의 산(HX)이 이온성 액체계 고분자에 지지된 산촉매를 사용하여 상기 반응을 수행함으로써 보다 높은 수율로 함불소알콕시트리알킬실란을 제조할 뿐만 아니라 사용된 촉매의 분리 및 회수를 용이하게 하는 방법에 관한 것이다.함불소알콕시트리알킬실란, 헥사메틸디실록산, CFC 대체세정제, 이온성고분자, 고체산
Int. CL C07F 7/08 (2006.01) C07F 7/18 (2006.01)
CPC C07F 7/1872(2013.01) C07F 7/1872(2013.01) C07F 7/1872(2013.01) C07F 7/1872(2013.01)
출원번호/일자 1020060103435 (2006.10.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0780483-0000 (2007.11.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현주 대한민국 경기도 광명시
2 김창수 대한민국 대구 서구
3 안병성 대한민국 서울시 송파구
4 김홍곤 대한민국 서울 강남구
5 김훈식 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0768320-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0031136-14
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0494579-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
헥사알킬디실록산과 함불소알코올을 반응시켜 함불소알콕시트리알킬실란을 제조하는 방법에 있어서,상기 반응은 하기 화학식 1로 표시되는 이미다졸륨계 고분자에 지지된 산촉매를 사용하는 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법 :[화학식 1]상기 화학식 1에서, X는 할로겐원자, 아세톡시기, 설폰산기, 메탄설폰산기, 트리플루오로메탄설폰산기, 또는 톨루엔설폰산기이고, n은 50 내지 1000의 정수이다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 산촉매는 헥사알킬디실록산 1 몰에 대하여 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반응은 무용매 조건에서, 또는 비양성자성 용매를 사용하는 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.