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1
적외선 흡수층 구조에 있어서,상기 흡수층은 지지층과,상기 지지층의 상측에 형성되는 감지층과,상기 감지층의 상측에 형성되는 소자를 보호하기 위한 보호층과, 상기 보호층의 상측에 형성되는 유전체층을 구비하고,상기 지지층, 감지층, 보호층 및 유전체층이 일체화된 λ/4 구조이고,상기 지지층의 하부에는 적외선 반사층이 형성되어 있고, 상기 유전체층의 상측에는 반투과막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조
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2
청구항 1에 있어서, 상기 유전체층은 실리콘으로 형성되고, 상기 실리콘은 적용되는 소자 제조 방법에 따라 저온 제조공정에서는 비정질 실리콘, 고온 제조공정에서는 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조
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3
청구항 2에 있어서, 상기 실리콘은 굴절률이 3 이상이고, 열질량이 678J/K/Kg인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조
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4
( 삭 제 )
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5
청구항 1에 있어서,상기 반투과막 및 반사층에 얇은 보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조
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6
적외선 흡수층을 포함하는 비냉각형 적외선 소자에 있어서, 상기 흡수층은 지지층과, 상기 지지층의 상측에 형성되는 감지층과, 상기 감지층의 상측에 형성되는 소자를 보호하기 위한 보호층과, 상기 보호층의 상측에 형성되는 유전체층을 구비하고, 상기 지지층, 감지층, 보호층 및 유전체층이 일체화된 λ/4 구조인 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 소자
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7
청구항 6에 있어서, 상기 유전체층은 실리콘으로 형성되고, 상기 실리콘은 적용되는 소자 제조 방법에 따라 저온 제조공정에서는 비정질 실리콘, 고온 제조공정에서는 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 소자
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8
청구항 7에 있어서, 상기 실리콘은 굴절률이 3 이상이고, 열질량이 678J/K/Kg인 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 소자
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9
청구항 6 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지층의 하부에 적외선 반사층이 형성되고, 상기 유전체층의 상측에 반투과막이 형성되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 소자
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10
청구항 9에 있어서, 상기 반투과막 및 반사층에 얇은 보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 소자
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11
적외선 흡수층 구조의 형성방법에 있어서, 적외선 반사를 위한 금속 반사층을 형성시키는 단계와, 상기 형성된 반사층 상측에 열적고립구조를 위한 지지층을 증착하는 단계와, 금속 접촉을 위한 금속박막이 증착되고 패턴닝되고 적외선 감지층을 증착하는 단계와, 상기 적외선 감지층의 상측에 소자의 보호를 위한 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층의 상측에 유전체층을 형성하는 단계와, 상기 유전체층의 상측에 금속 반투과막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 지지층, 감지층, 보호층 및 유전체층이 λ/4 구조에 일체화되도록 하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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12
청구항 11에 있어서, 상기 유전체층은 실리콘으로 형성하고, 상기 실리콘은 적외선 소자가 제작되는 공정이 고온일 경우 다결정 실리콘이나 스퍼터링을, 저온일 경우 비정질 실리콘이 사용되는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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13
청구항 12에 있어서, 상기 실리콘은 굴절률이 3 이상이고, 열질량이 678J/K/Kg인 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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14
청구항 11에 있어서, 열적 고립구조를 위한 에어캐비티(air cavity) 제작시 사용하는 벌크 에칭 또는 희생층 제거 공정에서 발생할 수 있는 상기 금속 반투과막의 열화방지를 위한 보호막을 금속반투과막 위에 형성하는 단계를 더 포함하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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15
청구항 11에 있어서, 상시 지지층은 실리콘 질화막이나 산화막 또는 산화질화막(SiOxNy)이 사용될 수 있으며, 열적 고립구조를 위한 에어캐비티(air cavity) 제작시 사용하는 벌크에칭 또는 희생층 제거공정에서 발생할 수 있는 금속 반사막의 열화를 방지하기 위해 반사막 증착전에 보호막을 형성시키는 단계를 더 포함하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 적외선 감지층은 파이로일렉트릭 (pyroelectric), 볼로메타(bolometer) 또는 써모파일(thermopile) 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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청구항 11에 있어서, 상기 적외선 감지층은 파이로일렉트릭 (pyroelectric), 볼로메타(bolometer) 또는 써모파일(thermopile) 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 적외선 흡수층 구조의 형성방법
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