기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

수소화 처리를 이용한 양자점 구조를 가지는 광 소자의제조 방법

기술번호 : KST2014051314
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다. 양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함
Int. CL	H01L 31/00 (2006.01)
CPC	H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자	1020050003016 (2005.01.12)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-0644970-0000 (2006.11.03)
공개번호/일자	10-2006-0082342 (2006.07.18) 문서열기
공고번호/일자	(20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.01.12)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	최원준	대한민국	서울 강북구
2	황성호	대한민국	서울 성북구
3	송진동	대한민국	서울 성북구
4	이정일	대한민국	서울 강동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	주성민	대한민국	서울특별시 종로구 사직로길 , 세양빌딩 (내자동) 층(김.장법률사무소)
2	장수길	대한민국	서울특별시 종로구 사직로길 , 세양빌딩 (내자동) 층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.01.12	수리 (Accepted)	1-1-2005-0018056-87
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0025325-16
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0244233-33
5	의견서 Written Opinion	2006.06.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0455497-15
6	등록결정서 Decision to grant	2006.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0626252-50
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 있어서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계 를 포함하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 GaAs 기판이고, 상기 버퍼층은 GaAs로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 양자점은 InAs 또는 InGaAs으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 양자점은 원자층 성장 기법(Atomic Layer Epitaxy, ALE) 또는 S-K(Stranski-Krastanov) 성장법으로 약 480℃에서 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 수소화 처리는 수소 분위기의 챔버에 60 mW/cm2의 파워밀도인 고주파(Radio Frequency, RF)를 인가하여 발생한 수소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 수소화 처리시, 챔버내 압력은 40 mTorr이며, 온도는 약 150℃인 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 수소화 처리는 약 20분 동안 실시되는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
8	8 제 4 항에 있어서, 상기 e) 및 f) 단계를 반복 실시하여 다수의 층으로 형성하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 도전층 및 제 2 도전층은 n형 불순물을 고농도로 도핑한 GaAs으로 형성되는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전층 상에 제 1 배리어층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 배리어층 상에 제 2 배리어층을 형성하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 배리어층은 GaAs로 형성하고, 상기 제 2 배리어층은 p형 불순물이 도핑된 GaAs로 형성하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조방법
12	11 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 배리어층은 GaAs로 형성하고, 상기 제 2 배리어층은 p형 불순물이 도핑된 GaAs로 형성하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0644970-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20050112 출원 번호 : 1020050003016 공고 연월일 : 20061114 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061027 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 31/00 발명의 명칭 : 수소화 처리를 이용한 양자점 구조를 가지는 광 소자의제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20131104

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	337,500 원	2006년 11월 06일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2009년 11월 02일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2010년 10월 29일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2011년 10월 19일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2012년 10월 31일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.01.12	수리 (Accepted)	1-1-2005-0018056-87
2	선행기술조사의뢰서	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0025325-16
4	의견제출통지서	2006.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0244233-33
5	의견서	2006.06.27	수리 (Accepted)	1-1-2006-0455497-15
6	등록결정서	2006.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0626252-50
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69


기술번호	KST2014051314
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국과학기술연구원
기술명	수소화 처리를 이용한 양자점 구조를 가지는 광 소자의제조 방법
기술개요	본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다. 양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함
개발상태	특허만신청(등록)
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이선스
사업화적용실적	없음
도입시고려사항	없음

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015124317][한국과학기술연구원]	고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법	새창보기
[KST2015122698][한국과학기술연구원]	알칼리 금속 함유 비수용성 금속 수화물 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2015120248][한국과학기술연구원]	열 가교형 차폐 원자단을 함유하는 유기 비선형 광학 활성 중합체 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015120158][한국과학기술연구원]	전계방출소자의 제조방법	새창보기
[KST2014051357][한국과학기술연구원]	양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택