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전기도금에 의한 화학양론을 만족하는 ＩＩＩ-Ｖ족 화합물반도체 ＩｎＳｂ 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051349
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 0.005 ~ 0.1M의 염화안티몬, 0.005 ~ 0.1M의 염화인듐, 0.1 ~ 1.3M의 구연산과 0.1 ~ 1.3M의 구연산칼륨을 포함하여 구성되는 도금용액을 준비하고, 상기 도금용액을 사용하여 상온에서 전기도금에 의하여 InSb 반도체 박막을 제조한다. 이에 따라, 열 증착법이나 분자선 에피택시법과 같은 고가의 공정을 통하여 제조되던 InSb 박막을 상온 도금을 통하여 제조함으로써 화학양론을 만족하는 품질 경쟁력 및 저가 생산에 의한 산업적 양산성을 확보할 수 있게 된다. 전기도금, InSb, 반도체, 화학양론
Int. CL H01L 21/288 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020040083711 (2004.10.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0607105-0000 (2006.07.24)
공개번호/일자 10-2006-0034546 (2006.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20060802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이관희 대한민국 서울특별시 성북구
2 정원용 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이종엽 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0475570-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0072317-35
3 의견서
Written Opinion		 2006.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0236730-34
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0386272-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
0
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제1항에 있어서, 전기도금시 인가되는 전류의 범위는 2 ~ 15 mA / cm2 인 것을 특징으로 하는 InSb 화합물 반도체 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 도금용액의 pH는 1
4 4
제1항에 있어서, 착화제인 구연산칼륨에 의하여 도금용액내의 안티몬 이온과 인듐 이온이 착화되어 도금되는 전위가 변화되는 것을 특징으로 하는 InSb 화합물 반도체 제조방법
5 4
제1항에 있어서, 착화제인 구연산칼륨에 의하여 도금용액내의 안티몬 이온과 인듐 이온이 착화되어 도금되는 전위가 변화되는 것을 특징으로 하는 InSb 화합물 반도체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.