맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전착법을 이용한 무정질 티타늄 산화물 막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051355
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전착법을 이용한 무정질 티타늄 산화물 막의 제조방법에 관한 것으로서, 티타늄 염 및 착화제 각각을 0.01 내지 1M의 농도로 포함하는, pH 7 내지 12의 염기성 수용액 중에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시킨 후 양 전극에 전압을 인가하는 본 발명의 전착법에 의하면, 조밀하고 균일하고 핀홀이 없는(pinhole free), 무정질의 티타늄 산화물 막을 온화한 조건에서 간단히 제조할 수 있으며, 이 막은 광감응태양전지 및 광전기화학전지의 전극 등 부식성이 높은 전극의 보호막으로서 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL C25D 3/54 (2006.01)
CPC C25D 3/54(2013.01)
출원번호/일자 1020040038101 (2004.05.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0599879-0000 (2006.07.05)
공개번호/일자 10-2005-0112718 (2005.12.01) 문서열기
공고번호/일자 (20060713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.28)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울특별시노원구
2 정광덕 대한민국 서울특별시서초구
3 록핸드씨.디. 인도 서울특별시성북구
4 민선기 대한민국 서울특별시강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0227270-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2005-0071656-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0044322-63
5 의견서
Written Opinion		 2006.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0169592-79
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0354901-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
티타늄 염 및 착화제 각각을 0
2 2
제 1 항에 있어서, 전압의 전류밀도가 0
3 3
제 1 항에 있어서, 티타늄 염이 티타늄 삼염화물(TiCl3)임을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 착화제가 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA)임을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 염기성 수용액의 pH가 암모늄 수용액의 첨가에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 암모늄 수용액이 5 내지 30 중량％의 농도를 갖는 것임을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상대전극이 백금(Pt)으로 이루어지고, 작업전극이 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 인듐-주석-산화물(ITO)-코팅된 유리, 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 전착된, 무정질의 티타늄 산화물 막
9 9
제 8 항에 있어서, 0
10 9
제 8 항에 있어서, 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.