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전착법을 이용하여 미세결정구조의 카드뮴셀레나이드 막을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 카드뮴셀레나이드막

  • 기술번호 : KST2014051358
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전착법을 이용하여 미세결정구조의 카드뮴셀레나이드(CdSe) 막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO4) 수용액에 시트르산나트륨(Na3C6H5O7·3H2O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3) 수용액과 혼합한 후 여기에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시키고 전압을 인가하는 것을 포함하는 본 발명의 전착법에 의하면, 미세 육방결정구조를 갖는 양질의 카드뮴셀레나이드 막을 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.
Int. CL C25D 1/04 (2006.01)
CPC C25D 1/04(2013.01)
출원번호/일자 1020040023643 (2004.04.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0598482-0000 (2006.07.03)
공개번호/일자 10-2005-0098423 (2005.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울특별시노원구
2 정광덕 대한민국 서울특별시서초구
3 록핸드씨.디. 인도 서울특별시성북구
4 이은호 대한민국 경상남도하동군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0141984-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2005-0063375-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0603930-80
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0715103-40
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0192375-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
황산카드뮴(CdSO4) 수용액에 시트르산나트륨(Na3C6H5O7·3H2O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3) 수용액과 혼합한 후 여기에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시키고 전압을 인가하는 것을 포함하는, 카드뮴셀레나이드(CdSe) 막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,0 내지 40℃의 온도에서 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,인가 전압이 -0
4 4
제 1 항에 있어서,황산카드뮴과 셀레노아황산나트륨이 1:1∼5의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,황산카드뮴 및 셀레노아황산나트륨 수용액 각각이 0
6 6
제 1 항에 있어서,시트르산나트륨 수용액이 0
7 7
제 1 항에 있어서,작업전극이 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 카드뮴(Cd), 금(gold), 인듐-주석-산화물(ITO) 코팅된 유리, 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 탄소로 이루어진 군으로부터 선택된 물질의 기판임을 특징으로 하는 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 전착된, 미세 육방결정구조의 카드뮴셀레나이드 막
9 9
제 8 항에 있어서, 1 내지 3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 카드뮴셀레나이드 막
10 10
제 8 항에 있어서, 0
11 10
제 8 항에 있어서, 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.