맞춤기술찾기

이전대상기술

양자우물 무질서화 기술을 이용한 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051359
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다. 양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020010088870 (2001.12.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0541305-0000 (2005.12.29)
공개번호/일자 10-2003-0058421 (2003.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.12)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최원준 대한민국 서울특별시강북구
2 한일기 대한민국 서울특별시노원구
3 박용주 대한민국 서울특별시성북구
4 조운조 대한민국 경기도의정부시
5 김은규 대한민국 서울특별시마포구
6 이정일 대한민국 서울특별시강동구
7 신재철 대한민국 경기도안성시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0356226-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 출원심사청구서
Request for Examination
2003.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-0166678-78
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0166677-22
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0008151-91
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0242049-57
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0406778-78
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0472982-67
10 의견서
Written Opinion
2005.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0472997-41
11 등록결정서
Decision to grant
2005.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0652687-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자우물 무질서화 기술을 이용한 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 있어서,GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와,상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와,상기 SiO2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,반절연 GaAs 기판을 생성하는 단계를 더 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.