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아래의 화학식 1로 표시되는 고분자: [화학식 1] 식 중, R은 방향족 카보닐의 벤조인 에테르, 아세토페논 및 안트라센 유도체로 구성된 군에서 선택되고, R1은 수소, C1 - C6 알킬, C1 - C6 알콕시 알킬 및 C1 - C6 히드록시 알킬로 구성된 군에서 선택되고, R2는 보호된 말레이미드 또는 퓨릴기이고, X는 수소, 카르복실기, 히드록시기
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제 1 항에 있어서, 중량 평균 분자량이 10,000 내지 100,000 범위인 고분자
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아래의 화학식 5 내지 8로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 2 종 이상의 서로 다른 단량체를 라디칼 중합시키는 것을 포함하는 화학식 1로 표시되는 고분자의 제조방법: [화학식 1] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] 식 중, R은 방향족 카보닐의 벤조인 에테르, 아세토페논 및 안트라센 유도체로 구성된 군에서 선택되고, R1은 수소, C1 - C6 알킬, C1 - C6 알콕시 알킬 및 C1 - C6 히드록시 알킬로 구성된 군에서 선택되고, R2는 보호된 말레이미드 또는 퓨릴기이고, X는 수소, 카르복실기, 히드록시기
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제 3 항에 있어서, 다이옥산, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤 및 방향족 용매로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 중합 용매로 사용하고, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴 및 디-t-부틸 퍼옥사이드로 구성된 군에서 선택되는 라디칼 개시제를 사용하는 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 따른 고분자를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 에틸 락테이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 시클로헥산온으로 구성된 군에서 선택되는 용매에 0
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제 5 항에 따른 유기 반사 방지막 제조용 조성물로부터 제조되는, 반도체 광미세 회로 가공 공정에서의 초미세 회로 형성을 위한 반사 방지막
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