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높은 위상변조 효율을 갖는 ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰｒｉｄｇｅ 도파로 위상 변조기의 에피박막층 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051437
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP 리지(Ridge) 도파로 위상변조기의 에피박막층 제조방법에 관한 것이다. 특히, 1.55 ㎛ 파장에서 TE 모드의 위상변화가 역바이어스 전압에 선형 비례함과 동시에 높은 위상변조 효율을 갖도록 제작된 P-p-n-N InGaAsP/InP 리지(ridge) 도파로 위상변조기에 관한 것이다.본 발명에 의하면, InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서, N+-InP(≥2×1018cm-3) 기판 위에 0.25두께의 N-InP(3 ×1017cm-3) 제 1클래딩층을 형성하는 단계와; 상기 제 1클래딩층 위에 0.25두께의 n-InGaAsP(1 ×1017cm-3) 제 1도파로층과 0.25두께의 p-InGaAsP(1 ×1017cm-3) 제 2도파로층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2도파로층 위에 0.75두께의 P-InP(1 ×1017cm-3) 제 2클래딩층과 0.25두께의 P-InP(1 ×1017cm-3) 제 3클래딩층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 3클래딩층 위에 0.2두께의 p+-InGaAs(1 ×1018cm-3) 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법을 제시한다. InGaAsP/InP, 리지(Ridge) 도파로, 위상변조기, 에피 박막, P-p-n-N 도핑(doping) 구조
Int. CL G02B 6/13 (2006.01)
CPC G02B 6/132(2013.01) G02B 6/132(2013.01) G02B 6/132(2013.01) G02B 6/132(2013.01)
출원번호/일자 1020030023458 (2003.04.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0498259-0000 (2005.06.21)
공개번호/일자 10-2004-0089371 (2004.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20050629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 경기도구리시교
2 박화선 대한민국 서울특별시도봉구
3 이석 대한민국 서울특별시구로구
4 우덕하 대한민국 서울특별시서대문구
5 이종창 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0131345-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0070887-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0537667-59
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0087170-80
6 의견서
Written Opinion		 2005.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0087280-04
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0121738-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서,N+-InP(≥2×1018cm-3) 기판 위에 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2도파로층은 전기장 효과와 자유 운반자 효과를 이용하기 위해 p-n 균질접합으로 형성된 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 및 제 3클래딩층에서 정공(hole)에 의한 흡수 손실을 줄이기 위해 두께와 도핑 농도가 각기 다른 제 2클래딩층과 제 3클래딩층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 에피 박막층에서 역 바이어스 전압이 2차원 도파로 영역에만 효율적으로 인가되도록 p+-InGaAs 전극층에서 N-InP 제 1클래딩층 상부의 경계면까지 식각된 리지(ridge) 도파로 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 위상 변조기의 에피 박막층에서 위상변화가 전압에 비례하도록 하여 별도의 바이어스 전압 없이 0 V와 2
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청구항 1에 있어서, 상기 위상 변조기의 에피 박막층에서 위상변화가 전압에 비례하도록 하여 별도의 바이어스 전압 없이 0 V와 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.