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반도체 기판; 상기 반도체 기판 상면에 형성된 유전체 박막;상기 유전체 박막 상에 형성되며, 양단이 각각 입출력부로서 제공되는 공면 신호선로; 및상기 공면 신호선로 양측의 상기 유전체 박막 상에 각각 형성 제1 및 제2 공면 접지선로를 포함하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제1항에 있어서,상기 유전체박막은, SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, BaTiO3 및 SrTiO3,로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제1항에 있어서,상기 공면 신호선로 및 상기 제1 및 제2 공면 접지선로가 형성된 유전체 박막 상에 추가적으로 형성되며 평탄한 상면을 갖는 유전체층과, 상기 유전체층 상면 중 적어도 상기 공면신호선로 및 접지선로가 형성된 부분과 대응되는 영역에 형성된 연자성 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제3항에 있어서,상기 유전체층은, SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, BaTiO3 및 SrTiO3,로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제4항에 있어서,상기 유전체박막과 상기 유전체층은 동일한 유전체로 이루어진 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제3항에 있어서,상기 연자성 박막은, CoFe계 미세결정립 연자성 박막, Co계 미세결정립 연자성 박막, Fe계 미세결정립 연자성 박막, 퍼멀로이계 미세결정립 연자성 박막, Co-Nb-Zr 합금 연자성 박막, Fe계 합금 연자성 박막으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제6항에 있어서,상기 연자성 박막은, 미세결정립 Co41Fe38Al13O8 연자성 박막인 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판 또는 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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제8항에 있어서,상기 유전체박막은 SiO2인 것을 특징으로 하는 MMIC형 전자기 노이즈 필터
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비선형 능동소자를 포함한 고주파 집적회로가 형성된 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상면 중 적어도 상기 비선형 능동소자에 인접한 적어도 일 영역에 형성된 유전체 박막;상기 유전체 박막 상에 형성되며, 양단이 각각 입출력부로서 제공되는 공면 신호선로; 및상기 공면 신호선로 양측의 상기 유전체 박막 상에 각각 형성 제1 및 제2 공면 접지선로를 포함하는 고주파 집적회로소자
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