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계내 전기화학적 중합법으로 제조된 전도성 고분자복합막을 포함하는 광전소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014051532
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기전도성 단량체를 투명 전극 위에 코팅된 n형 고분자 내에서 직접적인 전기화학적 반응을 통하여 전기전도성 고분자를 제조하여 형성된 복합막으로 이루어진 광전소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 광전소자는 1) 투명 기판, 2) 투명 전극, 3) 상기 투명 전극 위에 코팅된 n형 고분자 내에서 전기전도성 단량체의 전기화학적 반응에 의해 형성된 전기전도성 고분자와 n형 고분자의 복합막 및 4) 금속 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 기존의 고분자 블렌딩 기술과는 달리 최대의 광전효율을 얻을 수 있는 최적의 p형과 n형의 비율로 복합막을 직접성장시켜 고분자 복합막을 쉽게 얻을 수가 있다. 또한 소자제작 공정이 고온, 진공 등 특별한 과정을 요구하지 않아 차세대 대면적 평판형 유기 광전 소자 개발에 널리 활용될 수 있을 것이다. 전기전도성 단량체, 투명 전극, 전기화학적 반응, 복합막, 광전소자
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030050841 (2003.07.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0540101-0000 (2005.12.23)
공개번호/일자 10-2005-0011817 (2005.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20060111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유재웅 대한민국 서울특별시서초구
2 김영철 대한민국 서울특별시송파구
3 김재경 대한민국 서울특별시마포구
4 오승원 대한민국 경기도남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0270186-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0028761-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0281312-19
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0442109-98
6 의견서
Written Opinion
2005.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0442113-71
7 등록결정서
Decision to grant
2005.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0639039-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 투명 기판, 2) 투명 전극, 3) 상기 투명 전극 위에 코팅된 n형 고분자 내에서 전기전도성 단량체의 전기화학적 중합 반응에 의해 형성된 전기전도성 고분자와 n형 고분자의 복합막 및 4) 금속 전극을 포함하는 광전소자
2 2
제1항에 있어서, 전기전도성 고분자가 폴리피롤, 폴리아닐린, 포리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 광전소자
3 3
제1항 또는 2항에 있어서, n형 고분자가 폴리퀴놀린, 폴리(파라-페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-피리딜 페닐렌), 폴리플로렌, 폴리아세틸렌 및 이들의 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 광전소자
4 4
제1항 또는 2항에 있어서, 상기 투명 기판이 유리, 석영, 투명 플라스틱인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에테르술폰이고, 상기 투명 전극이 인듐 산화주석, 폴리에틸렌 디옥시티오펜, 폴리아닐린 또는 폴리피롤인 광전소자
5 5
제1항 또는 2항에 있어서, 상기 금속 전극이 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 광전소자
6 6
투명 기판 상의 투명 전극에 n형 고분자 박막을 형성시키는 단계, n형 고분자 박막이 형성된 기판을 전기전도성 p형 단량체 및 도판트 물질 함유 전해질 용액에 침지한 후, 전류를 공급하여 상기 전기전도성 고분자를 상기 n형 고분자 박막 내에서 전기화학적 중합법으로 직접 성장시켜 n형 고분자와 p형 고분자의 복합막을 형성시키는 단계 및 상기 기판 상에 형성된 복합막 상에 금속 전극을 증착하는 단계 를 포함하는 광전소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 전기전도성 고분자가 폴리피롤, 폴리아닐린, 포리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 제조 방법
8 8
제6항 또는 7항에 있어서, n형 고분자가 폴리퀴놀린, 폴리(파라-페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜, 폴리(p-피리딜 페닐렌), 폴리플로렌, 폴리아세틸렌 및 이들의 유도체로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 제조 방법
9 9
제6항 또는 7항에 있어서, 상기 투명 기판이 유리, 석영, 투명 플라스틱인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에테르술폰이고, 상기 투명 전극이 인듐 산화주석, 폴리에틸렌 디옥시티오펜, 폴리아닐린 또는 폴리피롤인 제조 방법
10 10
제6항 또는 7항에 있어서, 상기 금속 전극이 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 제조 방법
11 10
제6항 또는 7항에 있어서, 상기 금속 전극이 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.