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트랜지스터의 드레인에 제1 전원이 인가되고 게이트에 입력신호가 인가되는 저잡음 증폭기에 있어서,제1 단이 상기 트랜지스터의 소스와 연결되고 제2 단이 상기 제1 전원보다 낮은 제2 전원과 연결되는 제1 전도체; 및제1 단이 상기 입력신호가 인가되는 입력단과 연결되고 제2 단이 상기 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 전도체를 포함하며, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체는 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에는 동일한 방향의 전류가 흐르되,상기 제2 전도체는 1회 이상 턴 되어 있으며, 상기 제2 전도체의 제1단과 제2단 사이의 일부분이 상기 제1 전도체의 일부분과 인접하여 평행하게 배치되며, 상기 제2 전도체는 상기 제1 전도체보다 높은 턴비를 갖는 저잡음 증폭기
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트랜지스터의 드레인에 제1 전원이 인가되고 게이트에 입력신호가 인가되는 저잡음 증폭기에 있어서,제1 단이 상기 트랜지스터의 소스와 연결되고 제2 단이 상기 제1 전원보다 낮은 제2 전원과 연결되는 제1 전도체; 및제1 단이 상기 입력신호가 인가되는 입력단과 연결되고 제2 단이 상기 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 전도체를 포함하며, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체는 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에는 동일한 방향의 전류가 흐르되,상기 제1 전도체는 1회 이상 턴 되어 있으며, 상기 제1 전도체의 제1단과 제2단 사이의 일부분이 상기 제2 전도체의 일부분과 인접하여 평행하게 배치되며, 상기 제1 전도체는 상기 제2 전도체보다 높은 턴비를 갖는 저잡음 증폭기
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청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,상기 제1 및 제2 전도체는 금속선으로 이루어진 저잡음 증폭기
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청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체는 서로의 내측 부분을 따라 나선형으로 턴 되어 있는 저잡음 증폭기
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트랜지스터의 드레인에 제1 전원이 인가되고 게이트에 입력신호가 인가되는 저잡음 증폭기에 있어서,제1 단이 상기 트랜지스터의 소스와 연결되고 제2 단이 상기 제1 전원보다 낮은 제2 전원과 연결되는 제1 전도체; 및제1 단이 상기 입력신호가 인가되는 입력단과 연결되고 제2 단이 상기 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 전도체를 포함하며, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체는 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 제1 전도체와 상기 제2 전도체에는 동일한 방향의 전류가 흐르며,상기 저잡음 증폭기는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭기이고,상기 제1 전도체는,제1 단이 상기 제1 트랜지스터의 소스와 연결되고 제2 단이 상기 제1 전원보다 낮은 가상 접지와 연결되는 제3 전도체, 그리고제1 단이 상기 제2 트랜지스터의 소스와 연결되고 제2 단이 상기 가상 접지와 연결되는 제4 전도체를 포함하고,상기 제2 전도체는,제1 단이 제1 극성의 상기 입력신호가 인가되는 제1 입력단과 연결되고 제2 단이 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제4 전도체와 인접하여 평행하게 배치되고 상기 제4 전도체와 동일 방향의 전류가 흐르는 제5 전도체, 그리고제1 단이 상기 제1 극성과 반대되는 제2 극성의 상기 입력신호가 인가되는 제2 입력단과 연결되고 제2 단이 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제3 전도체와 인접하여 평행하게 배치되고 상기 제3 전도체와 동일 방향의 전류가 흐르는 제6 전도체를 포함하는 저잡음 증폭기
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청구항 9에 있어서,상기 제1 내지 제6 전도체는 금속선으로 이루어진 저잡음 증폭기
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