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니켈기판을 이용한 고온초전도 후막테이프 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051622
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈 테이프 위에 구리 박막을 형성한 후, 망 인쇄법 이나 담금법을 이용하여 구리 성분이 없는 Bi2O3-SrCO3-CaCO3 혼합물 전구체를 형성하고 열처리하여 니켈 기판 위에 Bi2Sr2CaCu2O8 (Bi2212) 고온초전도 후막을 제조하는 방법을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 Bi계 고온초전도 테이프 제조방법에 있어서, 니켈 기판 위에 구리 박막을 형성하는 단계; 상기 니켈 기판 상부에 구리성분이 없는 Bi2O3, SrCO3, 그리고 CaCO3를 일정비율로 혼합하여 형성된 전구체 분말을 형성하는 단계; 및 상기 니켈 기판 위에 형성된 구리 박막과 전구체 분말을 소정 시간 동안 소정온도로 열처리하여 소정 두께의 초전도 조직을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법을 제공한다.초전도 선재, 니켈 기판
Int. CL H01B 12/02 (2006.01.01) H01B 12/06 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01L 39/24 (2006.01.01)
CPC H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01) H01B 12/02(2013.01)
출원번호/일자 1020060106054 (2006.10.31)
출원인 한국전력공사
등록번호/일자 10-0821209-0000 (2008.04.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.31)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정년호 대한민국 대전광역시 유성구
2 한상철 대한민국 대전광역시 유성구
3 성태현 대한민국 대전광역시 유성구
4 한영희 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조희원 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로**길 **, ***호 (가락동, 송파KCC웰츠타워)(아이투비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0794917-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0049359-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0461091-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0769405-02
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0031754-48
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.03.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0010656-84
9 등록결정서
Decision to grant
2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0164484-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Bi계 고온초전도 테이프 제조방법에 있어서,니켈 기판 위에 구리 박막을 형성하는 단계; 상기 니켈 기판 상부에 구리성분이 없는 Bi2O3, SrCO3, 그리고 CaCO3를 일정비율로 혼합하여 형성된 전구체 분말을 형성하는 단계; 및상기 니켈 기판 위에 형성된 구리 박막과 전구체 분말을 1시간 정도로 800 ∼ 870℃ 온도에서 열처리하여 소정 두께의 초전도 조직을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 기판을 이용한 고온초전도 후막 테이프의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전구체 분말을 형성하는 단계에서,상기 전구체 분말은 망 인쇄법 또는 담금법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 기판을 이용한 고온초전도 후막테이프의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 전구체 분말의 조성비는 조성영역이 몰비로 Bi는 1 내지 3, Sr은 0
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.