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광전 변환층;상기 광전 변환층 상에 형성된 투명 도전막; 및상기 투명 도전막 상에 형성된 형성된 그리드 전극으로서, 점유 면적에 따른 상기 광전 변환층에 대한 차폐율이 0% 초과이고 2% 이하인 그리드 전극을 포함하되,상기 그리드 전극은 제1 방향으로 연장된 복수의 버스 전극, 및 제2 방향으로 연장된 복수의 핑거 전극을 포함하며,상기 각 핑거 전극의 간격은 5
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제1 항에 있어서, 상기 그리드 전극의 점유 면적에 따른 상기 광전 변환층에 대한 차폐율은 0
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제1 항에 있어서, 상기 각 핑거 전극의 간격은 균일한 태양 전지
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제1 항에 있어서, 상기 투명 도전막은 아연 산화물(ZnO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Ga-도핑된 ZnO(GZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), 인듐-주석-산화물(ITO), MgO, Nb:SrTiO3, Nb-도핑된 TiO2, (La0
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광전 변환층;상기 광전 변환층 상에 형성되며, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 적층막으로 이루어진 반사 방지막; 상기 반사 방지막 상에 형성된 투명 도전막; 및상기 투명 도전막 상에 형성된 형성된 그리드 전극을 포함하되,상기 그리드 전극은 제1 방향으로 연장된 복수의 버스 전극, 및 제2 방향으로 연장된 복수의 핑거 전극을 포함하며,상기 각 핑거 전극의 간격은 5
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제5 항에 있어서, 상기 투명 도전막은 아연 산화물(ZnO) 또는 아연 산화물 계열의 물질로 이루어지는 태양 전지
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제5 항에 있어서, 상기 투명 도전막과 상기 반사 방지막의 두께의 비는 1:6 내지 3:4인 태양 전지
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제5 항에 있어서, 상기 반사 방지막의 두께는 10 내지 30nm이고, 상기 투명 도전막의 두께는 40 내지 60nm인 태양 전지
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제5 항에 있어서, 상기 그리드 전극은 점유 면적에 따른 상기 광전 변환층에 대한 차폐율이 0% 초과이고, 2% 이하인 태양 전지
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제5 항에 있어서, 상기 핑거 전극의 간격은 균일한 태양 전지
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