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고전압 바이어스 회로 및 상기 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기

  • 기술번호 : KST2014051737
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고전압 바이어스 회로 및 상기 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 고전압 바이어스 회로는 광을 발생시키는 발광소자, 및 상기 발생된 광을 전압으로 변환하여 출력하는 광전변환소자를 포함하는 광 발전 아이솔레이터; 및 상기 광전변환소자의 출력 전압에 기초하여 바이어스 전압을 제어하는 전압 제어 소자를 포함한다. 전신 오염 감시기, 고전압 바이어스 회로, 방사선 검출기, 고전압 발생 회로, MOSFET, 광 발전 아이솔레이터, 리니어 레귤레이터
Int. CL G21C 17/14 (2006.01) G21C 17/00 (2006.01)
CPC G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01)
출원번호/일자 1020080116914 (2008.11.24)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0994620-0000 (2010.11.09)
공개번호/일자 10-2010-0058188 (2010.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정종은 대한민국 대전시 유성구
2 황인구 대한민국 대전시 서구
3 김민석 대한민국 대전시 유성구
4 홍석붕 대한민국 대전시 유성구
5 최화림 대한민국 대전시 유성구
6 김수희 대한민국 대전시 서구
7 이민우 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0808528-03
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0171915-01
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0403119-58
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0403120-05
5 등록결정서
Decision to grant
2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0455192-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광을 발생시키는 발광소자, 및 상기 발생된 광을 전압으로 변환하여 출력하는 광전변환소자를 포함하는 광 발전 아이솔레이터; 및 상기 광전변환소자의 출력 전압에 기초하여 바이어스 전압을 제어하되, 상기 바이어스 전압보다 낮은 내압을 갖는 전압 제어 소자 를 포함하는 고전압 바이어스 회로
2 2
제1항에 있어서, 바이어스 전압 데이터를 입력 받아 정전압을 출력하는 연산증폭기, 및 상기 출력된 정전압에 기초하여 상기 발광소자를 구동시키는 구동소자를 구비하는 안정화 회로 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 전압 제어 소자는, 금속 산화막 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로
5 5
고전압을 공급하는 고전압 공급 장치; 상기 고전압 공급 장치를 온 또는 오프시키는 고전압 스위치; 광을 발생시키는 발광소자와, 상기 발생된 광을 전압으로 변환하여 출력하는 광전변환소자를 포함하는 광 발전 아이솔레이터, 및 상기 광전변환소자의 출력 전압에 기초하여 바이어스 전압을 제어하는 전압 제어 소자를 포함하는 복수의 고전압 바이어스 회로; 및 상기 고전압 스위치를 오프시킨 후, 상기 전압 제어 소자의 동작에 연동하여 상기 고전압 스위치를 온시키는 제어 컴퓨터 를 포함하고, 상기 전압 제어 소자는, 상기 바이어스 전압보다 낮은 내압을 가지는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기
6 6
제5항에 있어서, 상기 고전압 바이어스 회로 각각은, 복수의 방사선 검출기 각각에 전기적으로 연결되고, 상기 방사선 검출기 각각의 특성에 대응하는 바이어스 전압을, 상기 방사선 검출기 각각에 인가하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기
7 7
제5항에 있어서, 상기 제어 컴퓨터는, 상기 전신오염감시기의 전원이 온 된 경우, 상기 고전압 스위치를 오프시켜 상기 전압 제어 소자에 상기 고전압이 인가되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기
8 8
제5항에 있어서, 상기 제어 컴퓨터로부터 바이어스 전압 데이터를 인가 받아 정전압을 출력하는 연산증폭기, 및 상기 출력된 정전압에 기초하여 상기 발광소자를 구동시키는 구동소자를 구비하는 안정화 회로 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기
9 9
삭제
10 10
제5항에 있어서, 상기 전압 제어 소자는, 금속 산화막 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 바이어스 회로를 이용한 전신 오염 감시기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.