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하기 일반식 1로 표시되는, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료:[일반식 1]MxBi2Te3:상기 일반식 1에서, M은 전이금속 도판트이고, 0 003c# x 003c# 1 임
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 도판트 M은 Bi2Te3 결정 내 Bi2Te3 층들 사이에 나노입자 형태로 삽입되어 있는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료
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제 2 항에 있어서,상기 전이금속 도판트 M의 나노입자 크기는 1 nm 내지 15 nm인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 도판트 M은 Cu, Ni, Fe, Ag, Mn, Cr, V 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료
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제 1 항에 있어서,n-형 반도체 특성을 가지는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료
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제 1 항에 있어서,다결정성 또는 단결정성을 가지는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료를 포함하는, 열전 변환 소자
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료를 포함하는, 열전 변환 냉각 디바이스
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하기 일반식 1에 따른 화학양론에 따른 함량비로 Bi, Te 및 전이금속 도판트 M의 각 분말을 포함하는 혼합물을 진공 반응 튜브 내에 로딩하여 진공 하에서 밀봉하여 소결하는 것을 포함하는, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료의 제조 방법:[일반식 1]MxBi2Te3:상기 일반식 1에서, M은 전이금속 도판트이고, 0 003c# x 003c# 1 임
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제 9 항에 있어서,상기 소결은 1,000℃ 내지 1,500℃의 온도에서 수행되는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소결 후 상기 소결 온도보다 100℃ 내지 300℃ 낮은 온도까지 서서히 냉각시킨 후 상온으로 급냉(quenching)시키는 것을 추가 포함하며, 다결정성의 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료가 형성되는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 소결 후 상기 소결 온도보다 100℃ 내지 300℃ 낮은 온도까지 서서히 냉각시켜 10 시간 내지 20 시간 동안 유지시킨 후 상기 반응 튜브를 일정 속도로 하강인발(pulling down)하는 것을 추가 포함하며, 단결정성의 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료가 형성되는 것인, 도핑된 Bi2Te3-계 열전 재료의 제조 방법
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