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팔라듐(Pd); 및 란탄트리플레이트[Ln(OTf)3]:를 포함하는, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 팔라듐은 탄소, Al2O3, 또는 고분자 물질에 고정화된 것을 포함하는 것인, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 란탄트리플레이트는, Ce(OTf)3, Pr(OTf)3, Nd(OTf)3, Sm(OTf)3, Eu(OTf)3, Gd(OTf)3, Tb(OTf)3, Dy(OTf)3, Sc(OTf)3, Ho(OTf)3, Er(OTf)3, Tm(OTf)3, Yb(OTf)3, Lu(OTf)3, Y(OTf)3, La(OTf)3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 팔라듐과 상기 란탄트리플레이트의 몰비는 1:1 내지 1:10인, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 팔라듐과 상기 란탄트리플레이트는, 각각 독립적으로, 상기 페놀에 대하여 1 mol% 내지 20 mol%인 것을 포함하는 것인, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 촉매 조성물은, 페놀을 수소화 환원시킴으로써 사이클로헥사논 (cyclohexanone)을 합성하기 위한 것인, 페놀의 수소화 환원용 촉매 조성물
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촉매 조성물 및 용매의 존재 하에서 페놀을 수소와 반응시켜 사이클로헥사논(cyclohexanone)을 형성하는 단계를 포함하는, 사이클로헥사논의 제조 방법으로서,상기 촉매 조성물은 팔라듐(Pd), 및 란탄트리플레이트[Ln(OTf)3]를 포함하는 것인,사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 팔라듐은 탄소, Al2O3, 또는 고분자 물질에 고정화된 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 란탄트리플레이트는, Ce(OTf)3, Pr(OTf)3, Nd(OTf)3, Sm(OTf)3, Eu(OTf)3, Gd(OTf)3, Tb(OTf)3, Dy(OTf)3, Sc(OTf)3, Ho(OTf)3, Er(OTf)3, Tm(OTf)3, Yb(OTf)3, Lu(OTf)3, Y(OTf)3, La(OTf)3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 팔라듐과 상기 란탄트리플레이트의 몰비는 1:1 내지 1:10인 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 팔라듐과 상기 란탄트리플레이트는, 각각 독립적으로, 상기 페놀에 대하여 1 mol% 내지 20 mol%인 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 용매는 디클로로메탄, 디클로로에탄, 또는 톨루엔을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 반응은 1 기압 내지 10 기압의 수소 분위기 하에서 수행되는 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 반응은 10℃ 내지 50℃의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 반응이 수행되는 시간은 1 시간 이상 10 시간 이하인 것을 포함하는 것인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 페놀의 전환율이 90% 이상인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 사이클로헥사논에 대한 선택도가 90% 이상인, 사이클로헥사논의 제조 방법
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