| 1 |
1
기판 상부에 N-극성의 질화물계 에피층을 형성하되, 2-차원 전자 구름층이 형성되는 GaN층을 상부에 형성하는 단계;상기 N-극성의 질화물계 에피층의 상부에 식각 제어층을 형성하는 단계;상기 식각 제어층의 상부에 n 타입 도펀트를 포함하는 n 타입 질화물층을 형성하는 단계;기 설정된 오믹 영역에 대하여, 상기 n 타입 질화물층 및 식각 제어층을 제거하여 상기 GaN층 부분을 노출시키는 단계;상기 GaN층이 접촉되게 상기 n 타입 질화물층 및 식각 제어층이 제거된 영역에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극 하부를 제외한 나머지 n 타입 질화물층을 식각하는 단계;열처리를 통해 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 오믹 접합을 형성하는 단계; 및상기 식각 제어층의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 n타입 질화물층은n타입으로 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 N-극성의 질화물계 에피층을 형성하는 단계는상기 기판 상부에 전이층을 형성하는 단계;상기 전이층 위에 AlGaN 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 AlGaN 버퍼층과의 계면 부분에 2-차원 전자 구름(2DEG)층이 생성되는 GaN층을 상기 AlGaN 버퍼층 위에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 GaN층 부분을 노출시키는 단계는기 설정된 오믹 영역에 대하여, 상기 n 타입 질화물층, 식각 제어층 및 GaN층 일부를 제거하여 상기 GaN층 부분을 노출시키는 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 식각 제어층은AlGaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 n 타입 질화물층을 식각하는 단계는SF6, CF4, CHF3, C2F8 중 하나 이상을 포함하는 F 함유 가스를 이용한 건식 식각에 의해 n 타입 질화물층을 선택 식각하는 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
기판;상기 기판 위에 형성되고, 2-차원 전자 구름층이 형성되는 GaN층을 상부에 형성하는 N-극성의 질화물계 에피층;상기 N-극성의 질화물계 에피층의 상부에 형성되고 AlGaN으로 이루어진 식각 제어층;상기 식각 제어층 상부의 오믹 형성 위치에 형성된 n 타입 도펀트를 포함하는 n 타입 질화물층;상기 오믹 형성 위치의 n 타입 질화물층 및 그 하부의 식각 제어층을 부분적으로 제거하여 GaN층을 노출시키고, 노출된 상기 GaN층에 접촉되게 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 식각 제어층 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하고,상기 n타입 질화물층은n타입으로 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 N-극성의 질화물계 에피층은상기 기판 상부에 형성된 전이층;상기 전이층 상부에 형성된 AlGaN 버퍼층; 및상기 AlGaN층 상부에 형성되어 상기 AlGaN층과의 계면 부분에 2-차원 전자 구름(2DEG)층이 생성되는 GaN 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 N-극성의 질화물계 반도체 소자
|
| 8 |
8
삭제
|
