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용액공정과 진공증착이 가능한 인광소재 기술

  • 기술번호 : KST2014051885
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주리간드로서 할로겐 화합물이 치환된 아릴 유도체와 알킬 또는 알콕시 치환기가 도입된 피리딘 유도체가 도입되어 있으며 보조 리간드로 알킬, 알킬옥시알콕시, 알킬아민, 아릴아민 또는 아미노알킬아민 유도체가 피콜리닉산 또는 피콜리닉산-N-옥사이드의 4번 탄소에 도입되어 있는 발광층을 용액공정으로 박막형성이 가능한 이리듐 착화합물 및 상기 이리듐 착화합물이 도입된 발광층의 도판트로 포함하는 인광용 유기전계발광소자를 제공한다. 본 발명에 따라 이리듐으로 도입된 주리간드와 보조리간드로 인하여 합성된 용액공정용 이리듐 착화합물은 용해도가 매우 증가함으로 인해서 진공증착이 아닌 용액공정으로 발광층을 형성할 수 있기 때문에 이리듐 착화합물을 발광층에 도핑시킴으로써 대면적화가 가능할 뿐만 아니라 진공증착에 의해서 소자를 제작하는 종래 기술과 비교하여 크게 제작공정의 효율이 향상된 소자를 얻을 수 있었다. 이리듐 착화합물(Iridium Complex), 용액공정, 4-알콕시피콜리닉산, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산, 4-알킬아민피콜리닉산, 4-아릴아민피콜리닉산, 4-아미노알킬아민피콜리닉산, 4-알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아릴아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아미노알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드 유기전계발광소자(OLED)
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) C07F 17/02 (2006.01) C07F 15/00 (2006.01)
CPC C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01) C07F 15/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020090029258 (2009.04.06)
출원인 (주)피앤유렘
등록번호/일자 10-1105242-0000 (2012.01.05)
공개번호/일자 10-2010-0110958 (2010.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.06)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)피앤유렘 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진성호 대한민국 부산 금정구
2 이승준 대한민국 부산광역시 해운대구
3 신인애 대한민국 부산광역시 부산진구
4 박진수 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최한수 대한민국 부산광역시 강서구 신호산단*로 **(신호동) 허브원B/D ***호(한스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0204663-93
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0592541-76
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0481632-76
4 [반려이유통지에 따른 소명]의견(답변, 소명)서
[Substantiation according to Notice of Reason for Return] Written Opinion (Written Response, Written Substantiation)
2010.08.05 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0504660-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5144318-60
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0070011-08
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0506901-84
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2010.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0081920-32
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593125-88
10 보정요구서
Request for Amendment
2010.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0082500-48
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0810374-19
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0826493-63
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0169275-73
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0136706-34
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0336948-65
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0336932-35
17 등록결정서
Decision to grant
2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0496197-37
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0018753-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착화합물
2 2
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 탄소수 1~10의 알킬기인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
3 3
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5의 알콕시기로 치환된 4-알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아미노알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드에서 선택되는 이리듐 착화합물 이리듐 착화합물
4 4
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R3은 할로겐으로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
5 5
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R2는 불소 또는 염소인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
6 6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재되어 있는 이리듐 착화합물이 발광층에 포함되어 있는 유기전계발광소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 유기전계발광소자는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극과 대향적으로 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 발광층은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제 1 전극과 발광층 사이로 버퍼층을, 상기 발광층과 제 2 전극 사이로 전자전달층 및 전자주입층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 정공주입층과, 상기 정공주입층의 상부로 적층되는 정공전달층을 포함하는 유기전계발광소자
10 10
제 6항에 있어서, 상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층의 도판트로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
11 11
제 6항에 있어서, 상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층 총량을 기준으로 3~20 중량%의 농도로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
12 12
제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재되어 있는 이리듐 착화합물이 포함되어 있는 발광층을 제 1 전극의 상부로 적층하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 발광층은 용액 공정에 의하여 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 발광층은 5~200㎚의 두께로 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.