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귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 주석 산화물 나노와이어(Method of indium tin oxide nanowire comprising noble metal and indium tin oxide nanowire using

  • 기술번호 : KST2014051921
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된 인듐 주석 산화물 나노와이어에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 귀금속 촉매가 코팅된 기판을 불활성 분위기에서 가열하는 단계 (단계 1); 상기 단계 1에서 가열된 기판에 불활성 기체 및 산소 기체가 흐르는 분위기에서 나노와이어의 쉘을 구성하는 원료로서 인듐 및 주석의 혼합분말을 포함하는 나노와이어 원료를 기상으로 공급하여 귀금속이 코어를 이루고 인듐 주석 산화물이 쉘을 이루는 나노와이어를 형성시키는 단계 (단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 나노와이어를 불활성 분위기에서 열처리하는 단계 (단계 3);를 포함하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 상기의 제조방법을 통해 제조된 인듐 주석 산화물 나노와이어는 열처리를 통해 광특성이 향상되어 자외선 영역에서 강한 빛을 방출할 수 있어, 콤팩트디스크(CD), 디지털다기능디스크(DVD)의 저장용량을 증대시킬 수 있는 단파장 발광소자, 백색조명의 구현에 활용될 수 있는 단파장 발광다이오드(LED) 및 광 스위치로도 활용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 31/022475(2013.01) H01L 31/022475(2013.01) H01L 31/022475(2013.01) H01L 31/022475(2013.01)
출원번호/일자 1020110110538 (2011.10.27)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1346327-0000 (2013.12.23)
공개번호/일자 10-2013-0046148 (2013.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20131231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 김현수 대한민국 경기도 남양주시
3 박성훈 대한민국 인천광역시 부평구
4 진창현 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0844140-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027618-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0357789-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0669466-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0669467-06
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0799674-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
귀금속 촉매가 코팅된 기판을 불활성 분위기에서 가열하는 단계 (단계 1);상기 단계 1에서 가열된 기판에 불활성 기체 및 산소 기체가 흐르는 분위기에서 나노와이어의 쉘을 구성하는 원료로서 인듐 및 주석의 혼합분말을 포함하는 나노와이어 원료를 기상으로 공급하여 귀금속이 코어를 이루고 인듐 주석 산화물이 쉘을 이루는 나노와이어를 형성시키는 단계 (단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 나노와이어를 불활성 분위기에서 550 ~ 750 ℃ 에서 50 ~ 70분 동안 열처리하는 단계 (단계 3); 를 포함하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 귀금속 촉매는 금, 은 및 백금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 기판을 800 ~ 1000 ℃ 로 가열시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 나노와이어 원료는 인듐 대 주석을 3~5 : 1 의 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1항의 방법으로 제조되고, 와이어의 중심축을 따라 귀금속이 불연속적으로 박힌 구조를 가지는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어
7 7
삭제
8 8
제 6항의 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어를 포함하는 단파장 발광소자
9 9
제 6항의 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 인듐 주석 산화물 나노와이어를 포함하는 광 스위치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 중점연구소 (정부 및 산업체) 그린 생체모방형 임플란터블 전자칩 및 U-생체정보처리 플랫폼 융합기술개발 (정보전자공동연구소)