1 |
1
플레이트(100);상기 플레이트(100)의 일측에 형성되어, 외부로부터 신호를 입력받아 전류를 발생시키며, 유도 자기장을 발생시키는 도체(200); 및 상기 플레이트(100)에 증착 형성되며, 상기 도체(200)로부터 발생되는 유도 자기장에 따라 자기 변형되어, 상기 플레이트(100)를 이동시키는 자기변형박막(300); 을 포함하되,상기 도체(200)는,RF 방식을 통한 전기신호를 입력받아 전류를 발생시키거나, 자체전기발전을 위해, 진동을 발생시키기 위한 자극신호를 입력받아 전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 플레이트(100)는,유연 플레이트로서, 폴리이미드 필름(Poly-imide Film) 또는 SU-8 재질인 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 도체(200)는, 상기 유도 자기장을 통해 서로 다른 공명주파수를 가지는 다수개의 자기변형박막(300)의 길이를 선택적으로 변형시킴으로써, 상기 플레이트(100)가 특정 방향으로 이동되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 도체(200)는, 마이크로 또는 나노 크기를 가지는 유도 코일 또는 환형 도체이며, 상기 유도 코일은 섬유 또는 반자성 물체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 자기변형박막(300)은, 상기 플레이트(100)의 상하단면에 매트릭스 형태로 다수 증착 형성되며, 인접하는 자기변형박막(300)들과 자기변형되는 방향 및 공명주파수가 서로 다른 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 자기변형박막(300)은,TbDyFe, Tb-Fe, Sm-Fe 및 Terfenol 재질 중에서 선택 사용되는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 자기변형박막(300)은,스퍼터링 방식에 의해 상기 플레이트(100)에 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 도체(200)로 신호를 전송하는 신호 입력부(400); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 신호는, RF 방식을 이용한 전기신호이거나, 전류를 발생하기 위한 자극신호인 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 자극신호는, 상기 도체(200)의 자체전기발전을 위한 신호로서, Dead Weight의 진동을 발생시키기 위한 신호 또는 형상기억합금(Shape Memory Alloy) 박막의 열 변화에 의한 진동을 발생시키기 위한 신호인 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|
12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 자기변형박막(300)은, 상기 도체(200)로부터 발생된 유도 자기장과, 외부 자기장에 의해 자기변형이 일어나는 것을 특징으로 하는 에너지 하베스팅에 의한 마이크로 자기 왜곡 운동체
|