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접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 저장장치 및 저장방법

  • 기술번호 : KST2014051964
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 데이터 저장장치 및 데이터 저장 방법에 관한 것으로, 플래쉬 변환 계층을 이용하여 플래쉬 메모리를 맵핑하는 저장장치에 있어서, 접근 빈도가 높은 데이터를 PRAM(Phase-change Random Access Memory)에 할당하고, 접근 빈도가 낮은 데이터를 플래쉬 메모리에 할당하는 것을 특징으로 한다.상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 접근빈도가 낮은 Cold 데이터는 플래쉬메모리에, 로그 블록 및 접근빈도가 높은 Hot 데이터를 덮어쓰기가 가능한 PRAM에 할당함으로써, 합병 연산 및 삭제 연산을 감소시켜 저장장치의 마모도를 감소시킬 수 있는 효과가 있고, 플래쉬 메모리보다 성능이 좋고 덮어쓰기가 가능한 PRAM에 접근 빈도가 높은 데이터를 기록함으로써 기존의 BAST 방법과 FAST 방법에 비해 저장 장치의 읽기, 쓰기 성능이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL G06F 12/02 (2006.01)
CPC G06F 3/064(2013.01)G06F 3/064(2013.01)G06F 3/064(2013.01)G06F 3/064(2013.01)
출원번호/일자 1020110085299 (2011.08.25)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1403922-0000 (2014.05.29)
공개번호/일자 10-2013-0022604 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕환 대한민국 서울특별시 양천구
2 양유석 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 정안 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 *** ***층(논현동,썬라이더빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0662646-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030603-29
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503013-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0243327-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0492374-52
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0492361-69
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0683021-22
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1099849-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0001998-84
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0002025-64
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0322971-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플래쉬 변환 계층을 이용하여 플래쉬 메모리를 맵핑하는 저장장치에 있어서,PRAM(Phase-change Random Access Memory); 및,플래쉬 메모리를 포함하고,상기 플래쉬 메모리는 블록을 단위 기준으로 맵핑하는 블록 맵핑 방법을 사용하고,상기 PRAM은 페이지를 단위 기준으로 맵핑하는 페이지 맵핑 방법을 사용하고,상기 PRAM은, 데이터에 대한 쓰기 연산 또는 갱신 연산 요청 시 쓰기 버퍼로 사용되는 로그 블록 영역;상기 데이터의 접근 빈도의 수가 저장되는 접근 빈도 체크 영역;상기 접근 빈도가 기 설정된 값을 초과하는 데이터가 할당되는 Hot 데이터 영역;을 포함하며,상기 플래쉬 메모리는 상기 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하인 데이터가 할당되는 Cold 데이터 영역을 포함하고,상기 플래쉬 메모리의 상기 Cold 데이터 영역에 할당된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하는 경우 상기 플래쉬 메모리의 상기 Cold 데이터 영역에 할당된 데이터를 상기 PRAM의 상기 Hot 데이터 영역에 기록하는 교체 연산을 수행하고,상기 교체 연산은,입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하이면 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터를 상기 플래쉬 메모리의 Cold 영역 기록하고, 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하고 상기 Hot 데이터 영역에 빈 공간이 존재하면, 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터를 Hot 데이터 영역의 빈 공간에 기록하며,상기 입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하나, 상기 Hot 데이터 영역에 빈 공간이 존재하지 않으면, 상기 Hot 데이터 영역의 블록 중 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하인 데이터를 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터와 교체하는 데이터 교환을 수행하고,상기 데이터 교환은 상기 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하는 입력 또는 출력 요청된 데이터가 일정 개수 이상인 경우 수행되는 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 저장장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 기 설정된 값은 8 내지 32인 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 저장장치
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 일정 개수의 값은 4 내지 16인 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 저장장치
7 7
PRAM(Phase-change Random Access Memory); 및, 플래쉬 메모리를 포함하는 저장장치에서, 플래쉬 변환 계층을 이용하여 플래쉬 메모리를 맵핑하는 데이터 저장방법에 있어서,상기 플래쉬 메모리는 블록을 단위 기준으로 맵핑하는 블록 맵핑 방법을 사용하고,상기 PRAM은 페이지를 단위 기준으로 맵핑하는 페이지 맵핑 방법을 사용하고,상기 PRAM은, 데이터에 대한 쓰기 연산 또는 갱신 연산 요청 시 쓰기 버퍼로 사용되는 로그 블록 영역;상기 데이터의 접근 빈도의 수가 저장되는 접근 빈도 체크 영역;상기 접근 빈도가 기 설정된 값을 초과하는 데이터가 할당되는 Hot 데이터 영역;을 포함하며,상기 플래쉬 메모리는 상기 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하인 데이터가 할당되는 Cold 데이터 영역을 포함하고,상기 플래쉬 메모리의 상기 Cold 데이터 영역에 할당된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하는 경우 상기 플래쉬 메모리의 상기 Cold 데이터 영역에 할당된 데이터를 상기 PRAM의 상기 Hot 데이터 영역에 기록하는 교체 연산을 수행하고,상기 교체 연산은,입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하이면 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터를 상기 플래쉬 메모리의 Cold 영역 기록하는 단계;상기 입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하고 상기 Hot 데이터 영역에 빈 공간이 존재하면, 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터를 Hot 데이터 영역의 빈 공간에 기록하는 단계; 및,상기 입력 또는 출력 요청된 데이터의 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하나 상기 Hot 데이터 영역에 빈 공간이 존재하지 않으면, 상기 Hot 데이터 영역의 블록 중 접근 빈도가 상기 기 설정된 값 이하인 데이터를 상기 입력 또는 출력 요청된 데이터와 교체하는 데이터 교환을 수행하는 단계;를 포함하고,상기 데이터 교환은 상기 접근 빈도가 상기 기 설정된 값을 초과하는 입력 또는 출력 요청된 데이터가 일정 개수 이상인 경우 수행되는 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 데이터 저장방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 기 설정된 값은 8 내지 32인 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 데이터 저장방법
11 11
삭제
12 12
제7항에 있어서,상기 일정 개수의 값은 4 내지 16인 것을 특징으로 하는 접근 빈도에 따라 데이터를 할당하는 데이터 저장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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