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도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 형성되는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상부에 형성되는 복수 개의 층을 구비한 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 p형 클래드층을 포함하되, 상기 활성층은 가장 큰 에너지 밴드갭을 가지는 톱니 상부층과 가장 작은 에너지 밴드갭을 가지는 톱니 하부층의 사이에 순차적으로 증가하거나 감소하는 에너지 밴드갭을 가지는 복수 개의 층이 개재된 구조를 적어도 한 쌍 가지며, 상기 활성층은 (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성비를 가지고, 상기 톱니 상부층과 상기 톱니 하부층의 x 또는 y를 기준으로, 상기 톱니 상부층과 상기 톱니 하부층 사이에 개재된 복수 개의 층의 x 또는 y를, 상기 톱니 상부층과 상기 톱니 하부층의 x 또는 y보다 작은 범위에서 연속적으로 증가하거나 감소하도록 변화시켜 톱니 형태의 에너지 밴드갭을 형성하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 톱니 상부층은 (Alx1Ga1-x1)y1In1-y1P (0≤x1≤1, 0≤y1≤1)의 조성비를 가지며, 상기 톱니 하부층은 (Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P (0≤x2≤1, 0≤y2≤1)의 조성비를 가지고, 상기 y1 및 y2의 조성비를 일정하게 유지하며, 상기 적어도 한 쌍 이상의 톱니 상부층과 톱니 하부층 사이에 개재되는 각 층은 상기 x1 및 상기 x2의 조성의 범위 내에서 순차적으로 증감하는 값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 톱니 상부층은 (Alx1Ga1-x1)y1In1-y1P (0≤x1≤1, 0≤y1≤1)의 조성비를 가지며, 상기 톱니 하부층은 (Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P (0≤x2≤1, 0≤y2≤1)의 조성비를 가지고, 상기 적어도 한 쌍 이상의 톱니 상부층과 톱니 하부층 사이에 개재되는 각 층은 상기 x1 및 상기 x2의 조성의 범위 내와, 상기 y1 및 상기 y2의 조성의 범위 내에서 순차적으로 증감하는 값을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 도전성 기판은 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 n형 및 p형 클래드층은 AlGaInP계 화합물 반도체로 형성되며, 상기 활성층에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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