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무극성 또는 반극성 Ⅲ족 질화물 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052184
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무극성 또는 반극성 III족 질화물 수직형 발광 다이오드에 관한 것이다. 구체적으로는 극성 질화물 성장에 의한 문제점을 완화하고 결함을 감소함으로써 내부양자효율을 개선할 수 있으며, 더 나아가 공정이 복잡하고 고비용인 레이저 리프트 오프 방식을 배제하고 습식 식각을 통해서 제조가능한 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광 다이오드를 제공할 수 있는 장점을 갖는다.
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020110034252 (2011.04.13)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1233328-0000 (2013.02.07)
공개번호/일자 10-2012-0116670 (2012.10.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이승재 대한민국 전라북도 남원시
4 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
5 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
6 김자연 대한민국 광주광역시 광산구
7 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
8 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0271232-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0027963-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0436787-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0748119-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0748120-10
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0032885-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면에 파셋(facet)을 갖는 실리콘(Si) 기판을 준비하는 1단계;적어도 일 영역이 N-극성을 나타내는 하나 이상의 캐비티(cavity)가 내부에 형성된 III족 질화물층을 측면성장(lateral growth)방식에 의하여 상기 기판상에 성장시키는 2단계;상기 III족 질화물층 상에 수직형 발광다이오드 구조를 성장시키는 3단계; 및상기 캐비티를 중심으로 수평방향 또는 수직 및 수평방향으로 상기 III족 질화물층의 적어도 일부 두께에 대한 화학적 에칭을 수행하여 분리된 수직형 발광다이오드 구조를 얻는 4단계를 포함하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광다이오드 제조방법
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무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면에 파셋을 갖는 실리콘기판을 준비하는 1단계;적어도 일 영역이 N-극성을 나타내는 하나 이상의 캐비티가 내부에 형성된 III족 질화물층을 측면성장방식에 의하여 상기 기판상에 성장시키는 2단계;상기 III족 질화물층 상에 제 2 반도체층, 활성층, 제 1 반도체층 및 전도성 리셉터 순으로 수직형 발광다이오드 구조를 성장시키는 3단계; 및상기 캐비티를 중심으로 수평방향 또는 수직 및 수평방향으로 상기 III족 질화물층의 적어도 일부 두께에 대한 화학적 에칭을 수행하여 분리된 수직형 발광다이오드 구조를 얻는 4단계를 포함하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 5항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캐비티 표면에 조도(roughness)를 형성한 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광다이오드 제조방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 파셋은 111-파셋인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광다이오드 제조방법
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청구항 5 또는 청구항 6의 수직형 발광다이오드 제조방법으로 제조된 수직형 발광다이오드
13 13
청구항 7의 수직형 발광다이오드 제조방법으로 제조된 수직형 발광다이오드
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청구항 11의 수직형 발광다이오드 제조방법으로 제조된 수직형 발광다이오드
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국가 R&D 정보가 없습니다.