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분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드

기술번호 : KST2014052185
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 기존의 핑거(finger) 형태의 전극을 채택하지 않고 독립적으로 분할된 전극구조를 채택함으로써, 기존의 n형 반도체층의 전극형성을 위한 메사식각 영역과 p형 반도체층과의 컨택을 위해 형성되는 본딩 패드로 인한 발광다이오드면의 손실을 줄이고, 광 효율을 높이는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 투광성 기판(Substrate);상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층; 상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(Hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 복수의 제 1전극; 상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막; 상기 제 1전극이 형성되는 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 제 2전극; 및 상기 제 1전극 및 제 2전극이 형성된 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 금속반사층;을 포함하고, 상기 복수의 제 1전극은 메탈라인으로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 발광다이오드, 분할전극, 보호막, 웨이퍼레벨 패키지
Int. CL	H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01)
출원번호/일자	1020090126558 (2009.12.18)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자	10-1246733-0000 (2013.03.18)
공개번호/일자	10-2011-0069953 (2011.06.24) 문서열기
공고번호/일자	(20130325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.12.18)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김상묵	대한민국	광주광역시 서구
2	백종협	대한민국	대전광역시 서구
3	이광철	대한민국	광주광역시 북구
4	오화섭	대한민국	광주광역시 광산구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원		광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0783456-17
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.11.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.12.14	수리 (Accepted)	9-1-2010-0075135-82
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.05.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0276958-72
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0572681-49
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.07.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0572682-95
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0044176-90
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.03.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0209954-28
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2012-0209953-83
10	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2012.08.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0462477-10
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.10.08	수리 (Accepted)	1-1-2012-0812920-65
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.10.08	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2012-0812921-11
13	등록결정서 Decision to grant	2013.02.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0095519-76
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 투광성 기판(Substrate);상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층;상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(Hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 복수의 제 1전극;상기 제 1전극의 측면부 및 상기 제 1전극과 제 1전극 사이에 형성되어 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막;상기 제 1전극 및 제 1보호막이 형성되는 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 제 2전극; 및 상기 제 1전극, 제1보호막 및 제 2전극이 형성된 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 금속반사층;을 포함하고,상기 복수의 제 1전극은 상기 제 1전극과 제 1전극 사이의 제 1보호막 상에 형성되는 메탈라인으로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1전극 및 메탈라인의 상부를 커버하고, 상기 제 2전극의 측면과 접하도록 형성되며 제 1전극과 제 2전극의 쇼트(short)를 방지하는 제 2보호막;상기 제 2보호막의 소정영역이 제거된 홀(Hole)을 통해 상기 제 1전극 및 메탈라인과 컨택되는 제 1메탈패드; 및상기 제 2전극과 컨택되며, 상기 제 1메탈패드와 이격되어 형성되는 제 2메탈패드; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
3	3 제 2항에 있어서, 상기 제 2보호막 상의 상기 제 1메탈패드와 제 2메탈패드가 형성되지 않은 영역에 형성되는 제 3보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 투광성 기판과 제 1반도체층상에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
5	5 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1보호막 또는 제 2보호막은, SiO2, Si3N4, 레진(Resin)수지 또는 SOG(Spin on Glass) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
6	6 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 투광성 기판 또는 제 1반도체층은 그 상부면에 요철구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
7	7 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1반도체층은 n형 질화물 반도체층이고, 제 2반도체층은 p형 질화물반도체층인것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
8	8 제 1항에 있어서, 상기 제 1전극은,그 상면이 원, 사각형 또는 다각형의 형태를 갖고, 그 측면의 단면부가 직사각형의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
9	9 투광성 기판 상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 2반도체층상의 소정거리로 이격된 영역마다 패터닝 후 식각하여 제 1반도체층의 상면이 노출되도록 상기 제 2반도체층 및 활성층을 제거하여 하나 이상의 홀(Hole)을 형성하는 단계;상기 홀(Hole)의 측면부를 둘러싸고, 상기 홀(Hole)과 홀(Hole)을 연결하는 제 1보호막을 형성하는 단계;상기 홀(Hole) 및 제 1보호막이 형성된 영역을 제외한 제 2반도체층 상에 금속반사층을 형성하는 단계;상기 제 1보호막으로 둘러쌓인 홀(Hole)마다 복수의 제 1전극을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1전극을 연결하는 메탈라인을 상기 제 1보호막 위에 형성하는 단계; 및상기 복수의 제 1전극 및 메탈라인 사이의 영역에 제 2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 복수의 제 1전극사이의 영역에 제 2전극을 형성하는 단계후에,상기 제 1전극 및 메탈라인의 상부를 커버하고, 상기 제 2전극의 측면에 접하는 제 2보호막을 형성하는 단계;상기 제 2보호막의 소정영역을 제거하여 서로 이격되는 둘 이상의 홀(Hole)을 형성하는 단계;상기 홀(Hole)을 통해 제 1전극과 컨택하는 제 1메탈패드를 형성하는 단계; 및 상기 제 2전극과 컨택되며, 상기 제 1메탈패드와 격리된 위치에 제 2메탈패드를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 제 2메탈패드 형성단계 후에,상기 제 1메탈패드 및 제 2메탈패드가 형성되지 않은 제 2보호막상에 제 3보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1246733-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091218 출원 번호 : 1020090126558 공고 연월일 : 20130325 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130212 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국광기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	237,000 원	2013년 03월 19일	납입
제 4 년분	금 액	197,400 원	2016년 02월 23일	납입
제 5 년분	금 액	197,400 원	2017년 02월 23일	납입
제 6 년분	금 액	197,400 원	2018년 02월 14일	납입
제 7 년분	금 액	259,000 원	2019년 02월 15일	납입
제 8 년분	금 액	259,000 원	2020년 03월 13일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2009-0783456-17
2	선행기술조사의뢰서	2010.11.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2010.12.14	수리 (Accepted)	9-1-2010-0075135-82
4	의견제출통지서	2011.05.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0276958-72
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2011-0572681-49
6	[명세서등 보정]보정서	2011.07.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0572682-95
7	의견제출통지서	2012.01.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0044176-90
8	[명세서등 보정]보정서	2012.03.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0209954-28
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2012-0209953-83
10	최후의견제출통지서	2012.08.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0462477-10
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.10.08	수리 (Accepted)	1-1-2012-0812920-65
12	[명세서등 보정]보정서	2012.10.08	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2012-0812921-11
13	등록결정서	2013.02.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0095519-76
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39


기술번호	KST2014052185
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국광기술원
기술명	분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드
기술개요	본 발명은 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 기존의 핑거(finger) 형태의 전극을 채택하지 않고 독립적으로 분할된 전극구조를 채택함으로써, 기존의 n형 반도체층의 전극형성을 위한 메사식각 영역과 p형 반도체층과의 컨택을 위해 형성되는 본딩 패드로 인한 발광다이오드면의 손실을 줄이고, 광 효율을 높이는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 투광성 기판(Substrate);상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층; 상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(Hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 복수의 제 1전극; 상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막; 상기 제 1전극이 형성되는 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 제 2전극; 및 상기 제 1전극 및 제 2전극이 형성된 영역을 제외한 제 2반도체층상에 형성되는 금속반사층;을 포함하고, 상기 복수의 제 1전극은 메탈라인으로 연결되는 것을 특징으로 하는 분할된 전극구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 발광다이오드, 분할전극, 보호막, 웨이퍼레벨 패키지
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	LED소자
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,기타,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1711001497
세부과제번호	I2219-13-1001
연구과제명	광산업기술력향상
성과구분	등록
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	200605~201606
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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