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모스-아이 구조를 이용한 고효율 반도체소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052193
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모스-아이(moth-eye) 구조를 포함하는 반도체소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 발광소자(Light Emitting Diode;LED) 또는 태양전지(Solar Cell)와 같은 광전변환소자 등 빛과 관련된 반도체소자에 있어서, 수광영역에 모스-아이(moth-eye) 구조를 형성함으로써 광반사를 효율적으로 방지하여 고효율을 갖는 고품질의 반도체소자에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명의 일측면에 의하면, 제 1반도체층, 활성층, 제 2반도체층 순으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 제 2반도체층의 소정영역이 식각되어 상기 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물; 상기 제 1반도체층의 노출된 영역에 형성되는 제 1전극; 및 제 2반도체층 상에 형성되는 제 2전극;을 포함하되, 상기 제 1반도체층의 하부면에 나노사이즈의 모스-아이(moth eye)구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자를 제공한다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100069353 (2010.07.19)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1246735-0000 (2013.03.18)
공개번호/일자 10-2012-0009542 (2012.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.19)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 박준모 대한민국 광주광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0462722-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518174-04
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0897176-82
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0993183-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0039366-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0039401-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0363498-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0595655-80
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0595652-43
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0470651-02
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0830921-22
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0830918-95
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0105412-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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(a) 서브스트레이트 기판상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 상기 제 1반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되도록 제 2반도체층 및 활성층의 소정영역을 식각하는 단계; (c) 상기 노출되는 제 1반도체층의 소정영역상에 제 1전극을 형성하는 단계; (d) 상기 제 2반도체층상에 제 2전극을 형성하는 단계;(e) 상기 서브스트레이트 기판과 제 1반도체층의 경계영역을 식각하여 상기 서브스트레이트 기판을 제거하는 단계;(f) 상기 서브스트레이트 기판과 분리된 상기 제 1반도체층의 경계면에 나노 임플린트법 레이저 홀로그래피법 또는 메탈 어그리게이션법 중 선택되는 어느 하나의 방법으로 나노사이즈의 모스 아이(moth eye)구조를 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.