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상 변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052459
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상 변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 상 변화 메모리 소자는 절연체 기판; 상기 절연체 기판상에 형성되는 촉매단; 상기 촉매단으로부터 기판 표면에 길이방향으로 형성되며 임의의 지점에 전기적으로 절연된 간극이 형성된 복수개의 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브의 양단부에 고정되는 금속전극을 포함하는 전극층; 자가정렬 방식으로 상기 간극에 형성되며 상기 탄소나노튜브와 전기적으로 접촉하는 상 변화 물질을 포함한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120130404 (2012.11.16)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1431684-0000 (2014.08.12)
공개번호/일자 10-2014-0063254 (2014.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배명호 대한민국 대전 유성구
2 김남 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0945894-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057255-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0669274-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1083282-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1190898-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1190896-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0220789-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0507223-53
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0507224-09
12 등록결정서
Decision to grant
2014.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0464947-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연체 기판;촉매단으로부터 상기 절연체 표면에 길이방향으로 성장하며 임의의 지점에 전기적으로 절연된 간극이 형성된 복수개의 탄소나노튜브;상기 간극을 중심으로 상기 간극으로부터 일정 간격 이격되어 상기 간극을 중심으로 탄소나노튜브 양쪽에 각각 고정되는 금속전극을 포함하는 전극층;자가정렬 방식으로 상기 간극에 형성되어 상기 전극층과 전기적으로 절연되며, 상기 탄소나노튜브의 절단면에 전기적으로 접촉하여 상기 전극층으로부터 흐르는 전류의 이동경로를 제공하는 상 변화 물질을 포함하는 상 변화 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 간극의 길이는 30 내지 50나노미터인 상 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 촉매단은 니켈, 철, 코발트, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 이트륨, 금, 팔라듐 및 이들 금속의 합금들로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진 상 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 상 변화 물질은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 상 변화 메모리 소자
6 6
절연체 기판상에 촉매단을 형성하는 단계;상기 촉매단으로부터 상기 절연체 표면에 복수개의 탄소나노튜브를 길이 방향으로 성장시키는 단계;상기 탄소나노튜브의 상부에 일정 간격 이격되어 양쪽에 각각 고정되는 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 사이의 임의의 지점을 전기적으로 절단하여 간극을 형성하는 단계 및상기 전극층과 전기적으로 절연되고 상기 탄소나노튜브의 절단면과 전기적으로 접촉하도록 상기 탄소나노튜브의 간극에 상 변화 물질을 자가정렬시키는 단계를 포함하는 상 변화 메모리 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 상 변화 물질을 자가정렬 시키는 단계는,상기 촉매단 및 전극층의 상부에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 전극층에 전압을 가하여 상기 간극 주변부의 폴리머층을 증발시키는 단계;폴리머층이 증발된 상기 간극 주변부를 통하여 상 변화 물질을 증착시키는 단계; 및상기 폴리머층을 제거하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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