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상 변화 메모리 셀 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052460
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상 변화 메모리 셀 어레이 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 상 변화 메모리 셀 어레이는 절연체 기판상에 제1방향으로 배열되며 자가정렬방식으로 증착된 상 변화물질을 포함하는 제1탄소나노튜브 어레이, 상기 제1탄소나노튜브 어레이와 교차하여 제2방향으로 배열되는 제2탄소나노튜브 어레이를 포함한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020120130403 (2012.11.16)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0063253 (2014.05.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배명호 대한민국 대전 유성구
2 김남 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0945893-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053720-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0122078-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0378547-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0378548-93
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0445315-69
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.07.30 수리 (Accepted) 7-1-2014-0029008-59
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0826949-29
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0826948-84
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0656910-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연체 기판상에 제1방향으로 배열되며 자가정렬방식으로 증착된 상 변화물질을 포함하는 제1탄소나노튜브 어레이;상기 제1탄소나노튜브 어레이와 교차하여 제2방향으로 배열되는 제2탄소나노튜브 어레이를 포함하는 상 변화 메모리 셀 어레이
2 2
제1항에 있어서,상기 상 변화물질은 상기 제1탄소나노튜브 및 제2탄소나노튜브의 교차지점에서 상기 제1탄소나노튜브 및 제2탄소나노튜브의 사이에 위치하는 상 변화 메모리 셀 어레이
3 3
제1항에 있어서,상기 제1탄소나노튜브 어레이 및 제2탄소나노튜브 어레이는 상호 직교하는 상 변화 메모리 셀 어레이
4 4
제1항에 있어서,상기 제1탄소나노튜브 어레이 및 제2탄소나노튜브 어레이는 각각 100내지 300 나노미터 간격으로 배열되는 상 변화 메모리 셀 어레이
5 5
절연체 기판상에 제1방향으로 복수개의 제1탄소나노튜브 어레이를 배열하는 단계;상기 절연체 기판상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 제1탄소나노튜브 어레이에 상 변화 물질을 자가정렬 방식으로 증착시키는 단계;상기 폴리머층을 제거하는 단계 및상기 제1탄소나노튜브 어레이와 교차하여 제2방향으로 제2탄소나노튜브 어레이를 배열하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리 셀 어레이 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 상 변화 물질을 자가정렬 방식으로 증착시키는 단계는,상기 제1탄소나노튜브 어레이 양단에 전압을 인가하는 단계;상기 제1탄소나노튜브 어레이 주변의 폴리머층을 부분적으로 증발시키는 단계 및상기 상 변화 물질을 상기 제1탄소나노튜브 어레이 및 상기 폴리머층에 증착시키는 단계를 포함하는 상 변화 메모리 셀 어레이 제조방법
7 7
제4항에 있어서,상기 제2탄소나노튜브 어레이를 배열하는 단계는,상기 제1탄소나노튜브의 상기 상 변화물질이 증착된 면에 상기 제2탄소나노튜브를 전사하는 방식을 이용하는 상 변화 메모리 셀 어레이 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.