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비정질 산화물 반도체 층 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014052461
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 비정질 산화물 반도체 층 및 이러한 비정질 산화물 반도체 층으로 구성된 채널층을 가지는 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터는, 산소를 포함하는 비정질 산화물 반도체 물질; 및 산소 사이의 결합을 방지함으로써, 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 안정화 첨가물;을 포함한다. 안정화 첨가물은 론-페어 s 원자가 전자띠 꼬리를 상기 비정질 산화물에 형성하며 이를 통해 산소 사이의 결합에 의하여 형성되는 과산화물의 형성을 방지한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)
CPC H01L 29/78693(2013.01) H01L 29/78693(2013.01) H01L 29/78693(2013.01)
출원번호/일자 1020120088372 (2012.08.13)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1466013-0000 (2014.11.21)
공개번호/일자 10-2014-0021895 (2014.02.21) 문서열기
공고번호/일자 (20141127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용성 대한민국 대전광역시 유성구
2 남호현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0646164-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051527-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0482931-41
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0698654-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0830122-04
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0830123-49
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.09.11 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0829166-77
9 보정요구서
Request for Amendment		 2013.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0113423-51
10 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2013.09.25 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0866543-99
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0121559-94
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0936073-17
13 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2013.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0936091-28
14 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0132385-04
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0132386-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0151435-77
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0415424-43
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0580302-54
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산소를 포함하는 비정질 산화물 반도체 물질을 포함하는 비정질 산화물 반도체 층; 및상기 비정질 산화물 반도체 층에 포함되고, 상기 산소 사이의 결합을 방지함으로써, 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 안정화 첨가물;을 포함하고,상기 안정화 첨가물은 론-페어(lone-pair) s-궤도를 가지고,상기 안정화 첨가물은 상기 산소와 spσ 혼성전자궤도 및 spσ* 혼성전자궤도를 형성하고,상기 안정화 첨가물은 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 및 납(Pb) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 안정화 첨가물은 상기 산소에 의한 과산화물(peroxide, O22-) 형성을 방지하는, 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 안정화 첨가물은 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 안정화 첨가물은 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 안정화 첨가물의 첨가되는 최소 함량은 1
8 8
제 1 항에 있어서,상기 안정화 첨가물은 3 at% 초과 내지 6 at% 미만의 범위의 함량으로 첨가되는, 박막 트랜지스터
9 9
제 1 항에 있어서,상기 비정질 산화물 반도체 물질은 인듐-갈륨-아연-산화물(In-Ga-Zn-O, IGZO), 인듐-주석-아연-산화물(In-Sn-Zn-O, ISZO), 인듐-알루미늄-아연-산화물(In-Al-Zn-O, IAZO), 주석-알루미늄-아연-산화물(Sn-Al-Zn-O, SAZO), 및 주석-아연-산화물(Sn-Zn-O, SZO) 중의 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
10 10
기판;상기 기판 상에 위치하고, 산소를 포함하는 비정질 산화물 반도체 물질, 및 상기 산소 사이의 결합을 방지함으로써 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 안정화 첨가물을 포함하는 채널층;상기 채널층의 양 단부에 각각 위치한 소스 전극 및 드레인 전극;상기 채널층 상에 위치한 게이트 절연층; 및 상기 게이트 절연층 상에 위치한 게이트 전극;을 포함하고, 상기 안정화 첨가물은 론-페어(lone-pair) s-궤도를 가지고,상기 안정화 첨가물은 상기 산소와 spσ 혼성전자궤도 및 spσ* 혼성전자궤도를 형성하고,상기 안정화 첨가물은 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 및 납(Pb) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
11 11
기판;상기 기판 상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치한 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 위치하고, 산소를 포함하는 비정질 산화물 반도체 물질, 및 상기 산소 사이의 결합을 방지함으로써 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 안정화 첨가물을 포함하는 채널층; 및상기 채널층의 양 단부에 각각 위치한 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고, 상기 안정화 첨가물은 론-페어(lone-pair) s-궤도를 가지고,상기 안정화 첨가물은 상기 산소와 spσ 혼성전자궤도 및 spσ* 혼성전자궤도를 형성하고,상기 안정화 첨가물은 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 및 납(Pb) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
12 12
산소를 포함하는 비정질 산화물 반도체 물질; 및상기 산소 사이의 결합을 방지함으로써, 광 또는 전기장에 의하여 야기되는 불안정성을 방지하는 안정화 첨가물;을 포함하고, 상기 안정화 첨가물은 론-페어(lone-pair) s-궤도를 가지고,상기 안정화 첨가물은 상기 산소와 spσ 혼성전자궤도 및 spσ* 혼성전자궤도를 형성하고,상기 안정화 첨가물은 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 및 납(Pb) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 비정질 산화물 반도체 층
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014027750 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014027750 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.